低介电常数氟化非晶碳膜多层布线技术

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低介电常数氟化非晶碳膜多层有线技术由于随着LSI集成度增大而布线间隔减小,所以布线电容增大而对LSI性能影响也更大。NEC为了解决此问题,开发了采用添加介电常数低的氟的非晶碳膜为新材料的层间介质膜技术。该技术特点如下:采用化学汽相淀积技术形成添氟的碳膜,再确立碳膜与二氧化硅膜间的界面控制技术,因而开发了二氧化硅膜和碳膜叠层化的LSI用多层布线层间介质膜技术。由于本技术采用了化学机械研磨,所以可获得极佳平坦性。本次开发的介质膜技术特点如下:(1)采用填充性良好的介电常数比为2.O~2.5的添氟碳膜成膜技术。
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