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采用ＤＣ－ＰＣＶＤ方法，控制工艺参数，在ＧＣｒ１５钢试样上获得４０μｍ厚的，以Ｓｉ３Ｎ４为主要成分的非晶态绝缘薄膜，沉积速率约为３７Ａ／ｓ，讨论了沉积速率高的原因。
DC—PCVD法快速制备Si3N4薄膜
【摘 要】
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采用ＤＣ－ＰＣＶＤ方法，控制工艺参数，在ＧＣｒ１５钢试样上获得４０μｍ厚的，以Ｓｉ３Ｎ４为主要成分的非晶态绝缘薄膜，沉积速率约为３７Ａ／ｓ，讨论了沉积速率高的原因。
【机 构】
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西南交通大学材料工程系
【出 处】
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硅酸盐学报
【发表日期】
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1997年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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