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[期刊论文] 作者：任迪远，余学锋，陆妩，高文玉，张国强，严荣良,
来源：Nuclear Science and Techniques 年份：1996
Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｒａｄｉａｔｉｏｎ－ｉｎｄｕｃｅｄｏｘｉｄｅａｎｄｉｎｔｅｒｆａｃｅｃｈａｒｇｅｓｏｎｍｏｂｉｌｉｔｙｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎｉｎ ＭＯＳＦＥＴｓＲｅｎＤｉ－Ｙｕａｎ（任迪远）；ＹｕＸｕｅ－Ｆｅｎｇ...Ｇａｏ...Effectsofradiation-inducedoxideandinterfacechargesonmobilitydegradationin MOSFETsRenDi-Yuan (任 迪 远...
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：核电子学与探测技术 年份：1997
ＣＭＯＳ运算放大器的质子和γ辐照效应陆妩任迪远郭旗余学锋严荣良（中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐，８３００１１）本文主要研究了ＬＦ７６５０ＣＯＭＳ运放电路在４、７、３０ＭｅＶ质子及６０Ｃｏγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律...
[期刊论文] 作者：高剑侠，严荣良，任迪远，林成鲁，李金华，竺士扬,
来源：Nuclear Science and Techniques 年份：1994
ＥＦＦＥＣＴＯＦＴＯＴＡＬＩＲＲＡＤＩＡＴＩＯＮＤＯＳＥＯＮＭＯＳＦＥＴｓ／ＳＯＩＧａｏＪｉａｎｘｉａ（高剑侠）；ＹａｎＲｏｎｇｌｉａｎｇ（严荣良）；ＲｅｎＤｉｙｕａｎ（任迪远）（ＸｉｎｊｉａｎｇＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ...
[期刊论文] 作者：张国强，严荣良，余学锋，高文钰，任迪远，赵元富，胡浴红，王英民,
来源：Nuclear Science and Techniques 年份：1994
ＲＡＤＩＡＴＩＯＮＥＦＦＥＣＴＯＮＦＬＵＯＲＩＮＡＴＥＤＳｉＯ＿２ＦＩＬＭＳ￥ＺｈａｎｇＧｕｏｑｉａｎｇ（张国强）；ＹａｎＲｏｎｇｌｉａｎｇ（严荣良）；ＹｕＸｕｅｆｅｎｇ（余学锋）；ＧａｏＷｅｎｙｕ（高文钰）；ＲｅｎＤｉｙｕａｎ（任迪远...
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,郭旗,余学锋,严荣良,
来源：核电子学与探测技术 年份：1997
ＣＭＯＳ运算放大器的质子和γ辐照效应陆妩任迪远郭旗余学锋严荣良（中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐，８３００１１）本文主要研究了ＬＦ７６５０ＣＯＭＳ运放电路在４、７、３０ＭｅＶ质子及６０Ｃｏγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律...
[期刊论文] 作者：任迪远,
来源：中国科学院院刊 年份：2002
中国科学院新疆理化技术研究所是在原新疆物理研究所和新疆化学研究所的基础上组建的新研究机构.这是中国科学院党组依据国家西部大开发的战略布署和院全面推进知识创新工程...
[期刊论文] 作者：张国强,任迪远,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
建立一套用于ＭＯＳ结构辐照陷阱消长规律研究的快速Ｉ－Ｖ在线测试系统，用此系统可进行自动加偏和Ｉｄｓ－Ｖｇｓ亚阀曲线测试，从面可快速定性定量获得辐照和退火环境中氧化物电荷和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面随辐照剂量，时间，偏......
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：核技术 年份：1999
介绍了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器在＾６０Ｃｏγ射线，１ＭｅＶ电子了４，７，３０ＭｅＶ不同能量质子辐照环境中的响应规律及＾６０Ｃｏγ射线和１ＭｅＶ电子辐照损伤在室温和１００℃高温条件下的退火特性，探讨了引起ＣＭＯＳ运放在不同辐射环境中辐照响应出现差......
[期刊论文] 作者：郭旗,任迪远,
来源：核技术 年份：1997
研究了ＣＭＯＳ模数转换器ＡＤＣ０８１６的＾６０Ｃｏγ射线和电子辐照效应及退火特性，并通过分析ＡＤＣ的电离辐射损伤机制，对其辐射敏感参数，敏感部位和失效模式进行了探讨。......
[期刊论文] 作者：范隆,任迪远,
来源：核技术 年份：1999
在不同剂量率的＾６０Ｃｏγ辐照下，研究了ＰＭＯＳＤ剂量计阈值电压的响应关系，借助快速Ｉ－Ｖ亚阈分析技术，获得了辐射感生界面态对剂量率效应的贡献，结果表明，辐照响应有较明显的剂量率效应，主要表现为响应......
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：半导体学报 年份：1998
本文介绍了ＯＰ－０７双极运算放大器的６０Ｃｏγ射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及６０Ｃｏγ和电子辐射损伤在室温和１００℃高温条件下的退火效应，揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规......
[期刊论文] 作者：范隆,任迪远,
来源：半导体学报 年份：2000
研究了ＰＭＯＳ剂量计在不同温度和栅集团下的辐照退火表现，结果表明：温度和退火偏置条件是影响初始退火速率和退火幅度的重要因素，较高退火温度下，退火速率高，幅度大；相同退火温度下，正偏置......
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：半导体技术 年份：1997
对ＴＴＬ双极运算放大器的ＯＰ０７进行了＾６０Ｃｏγ和１ＭｅＶ及１．５ＭｅＶ电子电离辐实验，研究了ＯＰ０７的电离辐射响应特性和抗总量辐射水平，并通过研究其电离辐照第三参数辐照后在室温和１００℃高温条件下随时间的变化关系，分析了......
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
研究了ＬＦ７６５０ＣＭＯＳ运算放大器电路在１ＭｅＶ电子和＾６０Ｃｏγ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对其电离辐照敏感参数，辐照后在室温和１００℃高温条件下，随时间变化关系的分析，探讨了引起电参数失效......
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：核技术 年份：1996
研究了ＯＰ－７双极运算放大器在８ＭｅＶ，１２ＭｅＶ两种能量下的质子辐照效应及损伤特性，并通过对电路内部的损伤分析，探讨了各敏感参数和的变化规律，结果表明，由位移损伤和电离辐射损伤引起的晶体管增益衰......
[期刊论文] 作者：任迪远,陆妩,
来源：核技术 年份：1993
利用用于电离辐射效应研究的运算放大器计算机测试系统以及测试分析和数据处理软件对十几种运算放大器进行了~(60)Coγ射线、1.5MeV电子的电离辐射损伤试验及其室温和加温退...
[期刊论文] 作者：陆妩,任迪远,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1996
本文报道了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器在４Ｍｅｖ、７Ｍｅｖ和３０Ｍｅｖ三种不同质子能量辐照下的损伤特性和变化规律，并通过对其损伤机理的分析，探讨了引起电参数失效的机理。结果表明，由于质子辐照引起多数载波子迁移......
[会议论文] 作者：陆妩;任迪远;,
来源：中国电子学会可靠性分会第八届学术年会 年份：1996
该文对ＴＴＬ双极运算放大器ＯＰ０７进行了〈’６０〉Ｃｏγ和１ ＭｅＶ电子电离辐照实验，研究了ＯＰ０７运放的电离辐射响应特性和抗总剂量辐射水平，并通过研究其电离辐照敏感参数辐照后在室温和１００℃高温条件下随时间......
[会议论文] 作者：陆妩;任迪远;,
来源：第七届全国可靠性物理学术讨论会 年份：1997
该文主要研究了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器电路在１ＭｅＶ电子和〈’６０〉ＣｏΥ两种不同辐射环境中的响应特性及变化规律，并通过对其电离辐照敏感参数辐照后在室温和１００℃高温条件下随时间的变化关系的分析，探......
[期刊论文] 作者：任迪远,余学锋,
来源：半导体学报 年份：1995
本文提出了一个能有效反映辐射感生氧化电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别对ＭＯＳＦＥＴ跨导退化影响的简单模型，通过模型与实验结果比较，讨论了不同沟道类型ＭＯＳＦＥＴ跨层退化的机制。......
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