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建立一套用于MOS结构辐照陷阱消长规律研究的快速I-V在线测试系统,用此系统可进行自动加偏和Ids-Vgs亚阀曲线测试,从面可快速定性定量获得辐照和退火环境中氧化物电荷和Si/SiO2界面随辐照剂量,时间,偏置等的依赖关系,快速I-V测试系统最高可以达到1次/秒的Ids-Vgs测量速度,用此系统研究了PMOSFET5×10^3Gy(Si)总剂量辐照后100℃恒温退火下,辐照陷阱的消长规律和机制。