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[期刊论文] 作者:余学峰, 来源:中国土地 年份:1994
浅谈非法转让土地中的非法所得余学峰(湖北省潜江市土地局)问题的提出办案中遇有这样一个案例:某甲以无偿提供部分划拨的土地使用权供某乙长期使用,换取某乙提供资金供某甲他用,名...
[期刊论文] 作者:余学峰, 来源:实用全科医学 年份:2004
口服药物具有服用方便,疗效可靠,病人易于掌握等优点,在临床上广泛应用,如忽视了用药方法,既不能保证医嘱的正确执行,也达不到药物的治疗目的,甚至出现不良反应.那么,合理地...
[期刊论文] 作者:余学峰, 来源:实用全科医学 年份:2005
随着人民生活水平的不断提高,糖尿病发病率在我国逐年上升,它是一种以持续性高血糖为基本特征的代谢性疾病,患者必需要长期治疗,而胰岛素是治疗糖尿病的最主要药物,能替代体...
[期刊论文] 作者:余学峰, 来源:水运工程 年份:
简要介绍了现代设计法的概念和内容、并分析说明了现代设计法的某些方面在港口工程设计领域中的应用。...
[期刊论文] 作者:余学峰, 来源:水运工程 年份:1991
本文介绍了三种自动绘制等值线的基本理论、方法及其通用软件的研制,并探讨了各方法的实际情况和适用范围。...
[期刊论文] 作者:余学峰, 来源:武汉体育学院学报 年份:1999
教学方法改革的目标是培养知识、能力、素质全面发展的人才 ,改革的关键是充分调动学生的积极性和主动性 ,使他们具有获取知识 ,运用知识 ,创造知识的能力。深化教学改革 ,要进一步更新教育思想和教育观念 ,加强教学方法改革的研究 ,发动教师参与......
[期刊论文] 作者:余学峰,, 来源:糖尿病天地(临床) 年份:2015
患者女性,49岁,主诉口干、多饮、多尿8年,视力下降3月现病史患者于2007年9月无明显诱因开始出现口干、多饮、多尿、多食、消瘦,查血糖23.7mmol/L,查尿糖3+,诊断为2型糖尿病,...
[期刊论文] 作者:余学峰,, 来源:交通与计算机 年份:1991
本文对三维通用绘图软件 GRADE/G 系统的图形数据结构和图形文件格式进行分析说明,详细介绍了图形文件(MD 文件、S2文件)的存储格式....
[期刊论文] 作者:邵百万, 余学峰, 来源:公共卫生与预防医学 年份:2005
大肠菌群纸片法(简称纸片法)用于餐具消毒监测,较传统的发酵法快捷、简便和经济,节省大量的人力物力.2003年7月对黄冈市饮食行业的392份餐具消毒监测的大肠菌群纸片进行了结...
[期刊论文] 作者:邵百万,余学峰, 来源:中国学校卫生 年份:2005
贫血是中小学生常见疾病之一,严重影响着中小学生身体健康和生长发育.为了解黄冈市市属中小学学生贫血状况及血红蛋白(Hb)含量,以便为今后防治中小学生贫血提供科学依据,笔者...
[期刊论文] 作者:余学峰,郭旗, 来源:核电子学与探测技术 年份:1998
本文对一种由计算机自动控制并进行数据采集的电子元器件总剂量辐照现场测试系统进行了描述,并通过应用该系统对CMOS数字电路CC4069进行与总剂量辐射同步的电参数在线测量,以及辐照后退火......
[会议论文] 作者:余学峰;郭旗;, 来源:全国计算机在现代科学技术领域应用学术会议 年份:1997
该文对一种由计算机自动控制并进行数据采集的电子元器件总剂量辐照现场测试系统进行了描述,并通过应用该系统对CMOS数字电路CC4069进行与总剂量辐射同步的电参数在线测量,以及辐照后退火......
[期刊论文] 作者:余学峰,艾尔肯, 来源:核技术 年份:2000
为研究抗热载子损伤的加固技术,对国产N型MOS电容进行了Fowler-Nordheim衬底的热电子高场注入(SHE),并利用高频C-V及准静态C-V分析技术,从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的能量分布变化等角度研究......
[期刊论文] 作者:余学峰,宋钦歧, 来源:固体电子学研究与进展 年份:1997
研究了注F加固FMOSFET的总剂量辐照响应特性和辐照后由氧化物电荷,界面态变化引起的阈电压漂移与时间,温度,偏置等退火条件的关系,发现一定退火条件下注F加固PMOSFET由于界面态度密度特别是氧化物......
[期刊论文] 作者:余学峰,郭水金,, 来源:交通与计算机 年份:1991
本文探讨了大比例尺机助测图系统开发中的有关技术问题。介绍了机助测图系统(GMAP)的结构、功能和特点,并就软件开发过程中的几个关键性的问题进行了分析说明。...
[期刊论文] 作者:陆应平,余学峰, 来源:中国经贸导刊 年份:2003
安庆城区辖迎江、大观、郊区三区 ,现有区属企业218个 ,民营企业428个 ,个体工商户16991个。多年来 ,安庆市委、市政府把发展区街经济作为整个经济发展的重要组成部分 ,按照...
[会议论文] 作者:余学峰,严荣良, 来源:第七届全国可靠性物理学术讨论会 年份:1997
该文对比了加固MOSFET在不同偏置条件下的总剂量辐照响应特性和退火特性,特别是对辐照偏置和退火偏置对器件电离辐射损伤的相互作用关系进行了试验研究和分析,取得了有价值的研究结果......
[期刊论文] 作者:任迪远,余学峰,等, 来源:固体电子学研究与进展 年份:2001
通过对国产加固N型MOS电容进行衬底热电子高场注入(SHE)及r总剂量辐射实验,特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验,从同观氧化物电荷、界面态的感生变化及其界面态的......
[期刊论文] 作者:范隆,郝跃,余学峰, 来源:西安电子科技大学学报 年份:2003
从微观氧化物电荷、界面态的感生变化及界面态的能量分布变化的角度,比较并分析了3种采用54HC电路工艺制作的MOS电容样品的总剂量电离辐射损伤退化,结果显示,采用单绝缘栅介...
[会议论文] 作者:高文钰,严荣良,余学峰, 来源:中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第五届学术年会 年份:1990
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