搜索筛选:
搜索耗时1.6012秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 17 篇相符的论文内容
发布年度:
[会议论文] 作者：丁孙安,,
来源： 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[会议论文] 作者：丁孙安;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
随着纳米器件尺度的进一步缩小,材料的表面、界面特性对器件性能的影响越来越大,而目前的制造技术却很难解决大气环境(特别是氧、碳、水气)在工艺过程中对材料表面的不利影响...
[期刊论文] 作者：丁孙安,杨辉,,
来源：真空 年份：2019
进入纳米时代后,纳米材料与纳米器件的性能不只取决于块体材料的性质,而更主要是由材料的表、界面性质来决定.为了避免由于表面污染而造成的改变与损伤,薄膜材料通常需要放置...
[会议论文] 作者：丁孙安,杨辉,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
表面科学研究的重要性和挑战性并存。随着纳米科技的发展，材料的表面、界面性质越来越重要。由于外界环境的不可控影响，以及材料本身的特殊性质，纳米材料的表征技术遇到了极大的挑战。材料一旦暴露大气，表面不可避免会被沾污或氧化，其本征性质就会被破坏。而且由于其......
[会议论文] 作者：丁孙安,杨辉,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
固体薄膜是一个非常宽泛的概念，涵盖了不同厚度，不同结构，以及不同体系的薄层材料。在纳米科技时代，纳米薄膜材料及器件的应用越来越广，也越来越受到关注。...
[期刊论文] 作者：丁孙安,许振嘉,
来源：红外与毫米波学报 年份：1993
利用俄歇电子能谱，二次离子质谱，深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和Ｃ－Ｖ法等测量方法，详细研究了Ｐｔ／Ｓｉ和Ｐｔ硅化物／Ｓｉ界面的反应性质，原子结构及杂质／缺陷的分布，讨论了它们对肖特基势垒的形成，势垒特发生和势垒高度的......
[期刊论文] 作者：丁孙安,许振嘉,
来源：红外与毫米波学报 年份：1993
利用俄歇电子能谱，深能化瞬态谱，及Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ两种电学测量方法对ＰｔＳｉ－Ｎ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／Ｐ－Ｓｉ两种肖特基势垒的形成条件与势垒度之间的关系进行了详细研究。从理论上分析了在退火过程中引入的影响肖特基势垒特性......
[期刊论文] 作者：丁孙安,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1994
存在于（Ｐｔ及其硅化物）／Ｓｉ界面的深能级缺陷常常会影响器件的性能。本文主要讨论氢等离子体对（Ｐｔ及其硅化物）／Ｓｉ界面深能级杂质缺陷的钝化作用及对其Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒的影响。......
[期刊论文] 作者：范缇文,丁孙安,
来源：半导体学报 年份：1995
本文报道了一种用电子束蒸发制备铟基金属与ｎ型ＧａＡｓ单昌欧姆接触ＮｉＩｎ（Ｇｅ）／ｎ－ＧａＡｓ材料，其接触电阻率ρｃ对随后的热退火温度着典型的Ｕ型依赖关系。透射电子显微镜及俄歇电子能谱的分析结果指出ρｃ值的大......
[期刊论文] 作者：丁孙安,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1992
本文利用高分辨电子能量损失谱(HREELS),俄歇电子能谱(AES)和低能电子衍射(LEED)详细研究了O_2在FeSi(100)表面上的初始吸附阶段(0-10L),以及温度(RL-550℃)对吸附的影响.此...
[期刊论文] 作者：许振嘉,丁孙安,
来源：真空科学与技术 年份：1994
本文全面、系统地评述了A~ⅢB~Ⅴ化合物半导体材料上欧姆接触的研究现状和发展方向。首先考虑金属／半导体接触物理，从理论上阐明了欧姆接触的机理，以及对其表征和测试。其次，文章......
[期刊论文] 作者：丁孙安,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1994
本文利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ），详细研究了（Ｐｔ及其硅化物）／Ｓｉ界面上存在的各种深能级缺陷中心，并分析了引起这些缺陷的原因及与界面原子结构的关系。...
[期刊论文] 作者：丁孙安,李宝骐,
来源：半导体学报 年份：1990
利用AES,XRD,UPS,XPS等技术研究了(0-1000A)Cr-Si(111),(100)系统在不同真空条件,不同温度热处理和不同Si表面状态下,铬硅化物的形成及其界面反应演化问题。在一定条件下,铬...
[会议论文] 作者：丁孙安,许振嘉,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
...
[期刊论文] 作者：丁孙安,许振嘉,李宝骐,周一峰,
来源：半导体学报 年份：1990
利用AES,XRD,UPS,XPS等技术研究了(0-1000A)Cr-Si(111),(100)系统在不同真空条件,不同温度热处理和不同Si表面状态下,铬硅化物的形成及其界面反应演化问题。在一定条件下,铬...
[期刊论文] 作者：范缇文,丁孙安,张金福,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1995
本文报道了一种用电子束蒸发制备铟基金属与ｎ型ＧａＡｓ单晶欧姆接触ＮｉＩｎ（Ｇｅ）／ｎ－ＧａＡｓ材料．其接触电阻率ρｃ对随后的热退火温度存在着典型的Ｕ型依赖关系．透射电子显微镜（ＴＥＭ）及俄歇电子能谱（ＡＥＳ）的分析结果指出ρｃ值的......
[期刊论文] 作者：贾浩林，杨文献，陆书龙，丁孙安，JiaHaolin，YangWenxian，LuShulong，DingSun\'an,
来源：半导体技术 年份：2020
...
相关搜索：
