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[期刊论文] 作者：谢书银,万关良,
来源：稀有金属 年份：1998
通过１２００℃，１．５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热自理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原胶位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重。......
[期刊论文] 作者：刘红艳,万关良,闫志瑞,
来源：中国稀土学报 年份：2003
对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。介绍了兆声波、臭氧、电解离子水、只用...
[会议论文] 作者：郝玉清,方锋,吴志强,万关良,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文讨论了勾形磁场对Ｎ＜１００＞，Ｈ＜１１１＞直拉硅单晶电阻率的影响。勾形磁场能够改善电阻率径向均匀性，对电阻率轴向变化影响不大。...
[会议论文] 作者：吴志强,方锋,郝玉清,万关良,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：陈海滨,周旗钢,万关良,肖清华,,
来源：稀有金属 年份：2007
分析了硅片双面磨削的运动轨迹,并给出了砂轮上P点相对于硅片的运动轨迹。还对砂轮运动轨迹进行了模拟。得出以下结论：砂轮上P点在硅片上的运动轨迹仅与它们的相对转速比I有关......
[期刊论文] 作者：陈海滨,周旗钢,万关良,肖清华,,
来源：稀有金属 年份：2006
测量300 mm双面磨削硅片损伤层厚度,不仅可以为优化双面磨削工艺提供科学依据,并最终可以减少双面磨削损伤层厚度,而且可以有助于减少抛光时间,改善抛光硅片的几何参数.本文...
[期刊论文] 作者：谢书银,万关良,李立本,张锦心,
来源：中国有色金属学报 年份：1998
为减小硅片高温工艺中的形变，通过仿硅器件在１２００℃热处理１．５ｈ高温工艺热处理实验，研究了装片方式、升温速率和急冷温度等工艺条件对硅片弯曲度变化的影响。实验结果表明硅片热处理中塑......
[会议论文] 作者：王继,万关良,李耀东,李俊峰,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
通过对不同晶向、不同型号、不同电阻率的硅抛光片的去除速率做实验，发现去除速率随着晶向、型号、电阻率的不同而存在较大差异，在其它条件相同的情况下，晶向的硅片抛光速度......
[会议论文] 作者：万关良,方锋,郝玉清,吴志强,张果虎,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
通过拉晶实验，发现热对流、晶转、拉速等对掺磷Ｎ〈ｌｌｌ〉高阻硅单晶径向电阻率均匀性影响很大。热对流小，晶转快，拉速大能有效提高单晶径向电阻率均匀性。...
[会议论文] 作者：万关良,方锋,吴志强,郝玉清,张果虎,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
通过拉晶实验，研究了炉室气压、拉晶速率和成晶时间等晶体生长工艺条件对直拉重掺锑单晶电阻率的影响。实验结果表明，炉室气压、拉晶速率和成晶时间对电阻率影响很大，推导一经验......
[会议论文] 作者：万关良,方锋,郝玉清,吴志强,张果虎,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
通过拉晶实验，发现热对流、晶转、拉速等对掺磷Ｎ〈ｌｌｌ〉高阻硅单晶径向电阻率均匀性影响很大。热对流小，晶转快，拉速大能有效提高单晶径向电阻率均匀性。...
[期刊论文] 作者：黄军辉,周旗钢,万关良,肖清华,库黎明,,
来源：稀有金属 年份：2007
通过建立300 mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程,分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动轨迹分布的影响,调整三者大小使得运动轨迹分布较均...
[会议论文] 作者：黄军辉,肖清华,库黎明,周旗钢,万关良,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
建立300mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程，通过实验证明了运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系，计算运动轨迹路径长度确定抛光垫......
[会议论文] 作者：郝玉清,张果虎,常青,方锋,吴志强,万关良,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
该语文研究了Φ１２５ｍｍ单晶氧的径向均匀性，为控制氧径向均匀性应首选择Φ１２５ｍｍ热场，增加晶转速度可以改善氧径向均匀性。...
[期刊论文] 作者：谢书银, 袁鹏, 万关良, 李励本, 张锦心,,
来源：稀有金属 年份：2004
通过１２００℃、１５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重......
[期刊论文] 作者：陈海滨，周旗钢，万关良，肖清华，ChenHaibin，ZhuoQigang，WanGuanliang，XiaoQinghua,
来源：稀有金属 年份：2006
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[期刊论文] 作者：郝玉清,张果虎,常青,方锋,吴志强,万关良,秦福,
来源：稀有金属 年份：1998
为控制氧径向均匀性，选择Φ３５０ｍｍ热场。增加晶转速度可以改善氧径向均匀性，但石英坩埚转速对氧径向均匀性没有明显影响。To control the oxygen radial uniformity, choose Φ350m...
[期刊论文] 作者：闫志瑞,李俊峰,刘红艳,万关良,李耀东,鲁进军,
来源：电子工业专用设备 年份：2004
对硅片清洗设备的日常维护从清洗工艺的角度进行了分析,并对具体问题的处理方案进行了阐述,从而使清洗设备工作更加稳定....
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