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[期刊论文] 作者：万家训,
来源：微电子学 年份：1981
SIPOS膜的制备是采用SiH_4—N_2O—N_2混合气体在650℃温度下反应,在硅衬底表面生长一层钝化膜。我们清楚地看到膜的性质与氧浓度有密切的关系。此外,对SIPOS膜的物理性质和...
[期刊论文] 作者：万家训,
来源：微电子学 年份：1979
用半绝缘多晶硅(SIPOS)膜代替了平面器件的二氧化硅钝化层。SIPOS膜是掺杂氧原子或氮原子的化学汽相淀积多晶硅,验证了掺氧多晶硅膜的钝化性质与氧浓度的关系。 在有场限制环...
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