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[学位论文] 作者：万寿普,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2001
六角结构Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体因其宽禁带、较高的热稳定性和化学稳定性,很有希望在蓝绿光发光二极管和激光二极管、高速高频光纤通信转换器、高功率HBT等器件制造方面得到广泛...
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