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[期刊论文] 作者：严北平,
来源：半导体情报 年份：1999
建立了异质结双极晶体管ＥＢ结空间电荷区复合电流的解析模型，基于该模型计算出了不同基区掺杂浓度下空间电荷区的复合率，获得了空间电荷区复合电流随机加电压的变化关系。...
[期刊论文] 作者：严北平,彭军,
来源：电子科学学刊 年份：1995
采用等离子增强化学气相淀积工艺（ＰＥＣＶＤ）制备出了Ｆｅ２Ｏ３薄膜，用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度，研究了薄膜对乙醇、液化石油气、煤倔和氢气的敏感特性。结果表明......
[期刊论文] 作者：严北平,张鹤鸣,
来源：电子学报 年份：2000
利用微空气隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管。器件展现出良好的直流和高频特性。对于发射极面积为２μｍ×１５μｍ的器件，直流电流增益大于１０，失调电压（Ｏｆｆｅｓｔｖｏｌｔａｇｅ）２００ｍＶ；电......
[期刊论文] 作者：严北平,罗晋生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
PNP和NPN高频异质结双极晶体管的设计有明显不同，这主要归因于砷化镓中电子与空穴的迁移率存在显著差别。这种差别在基区和子集电区外延层的设计中体现得尤为明显。文中详细讨...
[期刊论文] 作者：严北平,周南生,
来源：微电子学 年份：1993
本文报道了以四氯化钛(TiCl_4)和硅烷(SiH_4)为源物质,采用等离子增强化学气相淀积工艺(PECVD)制备硅化钛薄膜的方法;着重研究了气体流量比变化对薄膜电阻率、淀积速率以及化...
[期刊论文] 作者：严北平,周南生,
来源：无机材料学报 年份：1994
本文以四氯化钛（ＴｉＣｌ４）和硅烷（ＳｉＨ４）为源物质，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺结合常规热退火制备了优良的ＴｉＳｉ２薄膜。研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响。用四探针检测了退火前后薄膜的薄层......
[期刊论文] 作者：严北平,罗晋生,
来源：半导体情报 年份：1998
从求解异质结双极晶体管基区的二维电流连续性方程出发，推导出了基区少数载流子浓度的解析解，由此获得了基区各处复合电流的解析表达式。基于该模型完成了算法研究和软件编制，计......
[会议论文] 作者：严北平,罗晋生,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[会议论文] 作者：严北平,罗晋生,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[期刊论文] 作者：严北平,汪立椿,,
来源：西北电讯工程学院学报 年份：1987
用射频产生的氧等离子体实现了硅的无电极等离子体氧化。研究了氧化膜生长速率对衬底温度、氧气压、衬底离等离子区的距离以及射频功率的依赖关系。氧化膜的特性检测表明:500...
[期刊论文] 作者：郑丽萍,严北平,等,
来源：半导体学报 年份：2003
采用窄禁带宽度材料CaAsSb作为异质结晶体管的基区材料，成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPN InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管（double heterojunc...
[期刊论文] 作者：严北平,彭军,柴常春,
来源：电子科学学刊 年份：1995
采用等离子增强化学气相淀积工艺(PECVD)制备出了Fe_2O_3薄膜。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度。研究了薄膜对乙醇、液化石油气、...
[期刊论文] 作者：严北平,张鹤鸣,戴显英,
来源：半导体学报 年份：2001
利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准，采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管，器件直流电流增益大于20，......
[期刊论文] 作者：严北平,张鹤鸣,戴显英,
来源：半导体学报 年份：2001
采用标准的湿法刻工艺研制出了S波段工作的非 自对准AlGaAs/GaAs异质结构双极晶体管。对于总面积为8×2um×10um的HBT器件，测得其直流电流增益大于10，电流增益截止频...
[期刊论文] 作者：严北平,张鹤鸣,戴显英,
来源：半导体学报 年份：2001
建立了PNP型异质结双极晶体管基区少数载流子浓度的解析模型。理论分析了发射极－基极－发射极布局的PNP型HBT的电流增益。讨论了不同基极电流成分，如外基区表面复合电流，基极接触......
[期刊论文] 作者：张鹤鸣,严北平,戴显英,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
给出了非合金接触情况下，PNP型HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律，并给出了集总元件电路模型。...
[期刊论文] 作者：杨林安,周南生,严北平,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
采用PECVD 法淀积的TiSi_2薄膜与硅衬底能形成良好的接触,其肖特基势垒高度经J-V 和C-V法测试得知,分别为0.65eV 和0.58eV.同时经测量得到了较理想的肖特基势垒二极管伏安特...
[期刊论文] 作者：严北平,张鹤鸣,戴显英,
来源：电子学报 年份：2000
利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管 .器件展现出良好的直流和高频特性 .对于发射极面积为 2 μm× 15 μm的器件 ,直流电...
[期刊论文] 作者：杨林安,周南生,严北平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
利用平板电容耦合式PECVD设备淀积TiSi_2薄膜,经800℃,30分钟的扩散炉退火,TiSi_x形成稳定的TiSi_2.用俄歇电子能谱和X射线衍射来监测硅化物的形成.用扫描电子显微镜观察了Ti...
[期刊论文] 作者：杨林安,周南生,严北平,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1990
本文利用PECVD低温淀积台进行TiSi_2薄膜的制备。采用X射线衍射、俄歇分析和扫描电镜等分析手段,对所制备的TiSi_2薄膜及其氧化特性、多层膜结构和刻蚀特性进行了全面的测试...
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