搜索筛选:
搜索耗时3.6377秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[会议论文] 作者：姜涛, 严成峰, 施尔畏,,
来源： 年份：2004
碳化硅(SiC)晶体作为第三代半导体材料,由于其具有宽禁带、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度、高热导率等优秀的物理性能和电学性能1,在制备高温、高频、大功率以及抗辐射...
相关搜索：
