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[会议论文] 作者：严荣良;余学锋;艾尔肯;郭旗;,
来源：第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：1999
该文研究了国产CMOS高速电路54HCT244八缓冲器／线驱动器在Co辐照下，交流 特性退化与总剂理、剂量率、辐照偏置和工艺条件的关系。研究表明，在低剂量率0.07Gy(Si)/s辐照下，延迟时...
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