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[期刊论文] 作者：中村正克,松川,
来源：微电子学 年份：1982
批量生产的第一代超LSI 以半导体存储器为中心的动态(D)RAM,目前已从16K位发展到64K位,静态(S)随机存取存储器从4K位发展到16K位,完成了对第一代超大规模集成电路器件的开发...
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