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[期刊论文] 作者:中谷正昭,隈部久雄,黄礼蓥,, 来源:半导体情报 年份:2004
砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管(以下缩写成 GaAs SB FET)在微波领域中与硅双极晶体管相比显示出更多的优良特性,在微波通信设备的微波放大器和振荡器中,从小信号低噪声和...
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