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[会议论文] 作者：何晓光;赵德刚;乐伶聪;李晓静;杨静;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文研究了MOCVD生长过程中的各种参数对GaN材料中的C杂质含量的影响.共生长了五个GaN样品,每个样品包括5-6个子层,每个样品样品中从最底层到最顶层阶梯改变一个生长参数...
[会议论文] 作者：何晓光,赵德刚,乐伶聪,李晓静,杨静,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
本文研究了MOCVD生长过程中的各种参数对GaN材料中的C杂质含量的影响.共生长了五个GaN样品,每个样品包括5-6个子层,每个样品样品中从最底层到最顶层阶梯改变一个生长参数,通过二次离子质谱(SIMS)测量C杂质浓度.分别研究了反应室压强、氨气流量、生长温度、镓源......
[期刊论文] 作者：唐豪,马新国,乐伶聪,刘应菊,孙炜鹏,,
来源：现代化工 年份：2010
钛酸纳米管具有高比表面积和光化学稳定性等特点，在光催化领域得到广泛的研究。为了拓宽可见光吸收范围和提高量子产率，需要对其进行改性。本文介绍了金属离子掺杂、贵金属沉积......
[期刊论文] 作者：李晓静, 赵德刚, 何晓光, 吴亮亮, 李亮, 杨静, 乐伶聪,,
来源：物理学报 年份：2013
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[期刊论文] 作者：赵德刚,江德生,乐伶聪,杨静,陈平,刘宗顺,朱建军,张立群,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
The influences of InGaN/GaN multiple quantum wells(MQWs) and AlGaN electron-blocking layers(EBL) on the performance of GaN-based violet laser diodes are investi...
[会议论文] 作者：刘炜;赵德刚;乐伶聪;杨静;何晓光;李晓静;李翔;侍铭;赵丹梅;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文主要研究了高In组分InGaN/GaN多量子阱(MQWs)中阱层厚度的变化对阱内局域态的影响机理。采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术分别制备了不同阱厚的MQWs样品,并利...
[会议论文] 作者：李翔;赵德刚;乐伶聪;杨静;何晓光;李晓静;刘炜;侍铭;赵丹梅;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
本文针对GaAs基激光器，在波导层和限制层之间引入非对称而且掺杂的低折射率插入层，该新型结构不仅能降低发散角而且可以改善阈值电流。为了提高激光器的光束质量和降低激光......
[会议论文] 作者：李亮,赵德刚,江德生,刘宗顺,陈平,吴亮亮,乐伶聪,王辉,杨辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
采用MOCVD 技术在c面蓝宝石衬底上生长了不同p-GaN厚度的InGaN/GaN p-i-n太阳能电池,p-GaN的厚度分别为0nm,50nm,150nm.通过XRD和AFM测试分析了材料的结构特性,同时也测...
LowcontactresistivitybetweenNi/Auandp-GaNthroughthinheavilyMg-dopedp-GaNandp-InGaNcompoundcontactlay
[期刊论文] 作者：李晓静,赵德刚,江德生,陈平,朱建军,刘宗顺,乐伶聪,杨静,何晓,
来源：null 年份：2015
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,Low contact resistivity between Ni/Au and p-GaN through thin heavily Mg-doped p-GaN and p-InGaN com
[期刊论文] 作者：李晓静,赵德刚,江德生,陈平,朱建军,刘宗顺,乐伶聪,杨静,何晓光,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
Thin heavily Mg-doped InGaN and GaN compound contact layer is used to form Ni/Au Ohmic contact to p-GaN. The growth conditions of the compound contact layer and...
[会议论文] 作者：陈平,杨辉,赵德刚,江德生,刘宗顺,李亮,吴亮亮,乐伶聪,张书明,朱建军,张宝顺,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
利用模拟软件Apsys对GaN基发光二极管(Light Emitting Diode,LED)中的载流子分布和输运进行模拟计算,研究如何改善LED中的效率下降(efficiency droop)问题。采用变化的垒...
[会议论文] 作者：陈平,张书明,杨辉,赵德刚,江德生,刘宗顺,李亮,吴亮亮,乐伶聪,朱建军,张宝顺,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
利用模拟软件Apsys对GaN基发光二极管(Light Emitting Diode,LED)中的载流子分布和输运进行模拟计算,研究如何改善LED中的效率下降(efficiency droop)问题。采用变化的垒层厚度形成非对称量子阱结构,代替传统的均匀多量子阱作为激光器的有源区。......
[会议论文] 作者：乐伶聪,张书明,杨辉,赵德刚,江德生,吴亮亮,李亮,陈平,刘宗顺,朱建军,王辉,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
通过低温光致发光(low temperature photoluminescence,LT PL)手段,我们研究了轻掺Si对高质量GaN 的光学性质的影响.据发现,在轻掺Si的GaN的PL谱中发现位于3.473eV处的发...
Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence
[期刊论文] 作者：何晓光,赵德刚,江德生,朱建军,陈平,刘宗顺,乐伶聪,杨静,李晓静,张书明,杨辉,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
AlGaN/AlN/GaN structures are grown by metalorganic vapor phase epitaxy on sapphire substrates. Influences of AlN interlayer thickness, AlGaN barrier thickness,...
[期刊论文] 作者：乐伶聪,赵德刚,吴亮亮,邓懿,江德生,朱建军,刘宗顺,王辉,张书明,张宝顺,杨辉,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
In situ optical reflectivity measurements are employed to monitor the GaN epilayer growth process above a low-temperature GaN buffer layer on a c-plane sapphire...
Different variation behaviors of resistivity for high-temperature-grown and low-temperature-grown p-
[期刊论文] 作者：杨静,赵德刚,江德生,陈平,刘宗顺,朱建军,乐伶聪,李晓静,何晓光,张立群,杨辉,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
Two series of p-GaN films grown at different temperatures are obtained by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD). And the different variation behaviors...
[会议论文] 作者：吴亮亮,王辉,张宝顺,杨辉,赵德刚,江德生,陈平,乐伶聪,李亮,刘宗顺,张书明,朱建军,
来源：第十三届全国固体薄膜学术会议 年份：2012
本文研究了在退火气氛中掺入氧气对p-GaN 激活的影响。当样品在750℃,退火气氛为N2：O2为4：1时得到最小的电阻率。实验表明在纯N2退火气氛中掺入氧气,能更有效率地减少钝化p-GaN中Mg受主的氢的含量。虽然在更高的温度下,掺氧退火能进一步减少样品中氢的含量,但是更......
[会议论文] 作者：乐伶聪,王辉,张书明,杨辉,赵德刚,江德生,李亮,吴亮亮,陈平,刘宗顺,李增城,朱建军,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
近二十年来,InGaN/GaN多量子阱LED、LD得到了快速的发展.然而,在InGaN多量子阱生长过程中,经常会有V型缺陷的出现.因此,很有必要研究V型缺陷的形成机制及其对器件性能的影响.我们利用MOCVD方法生长了具有不同量子阱周期数的InGaN/GaN多量子阱LED.......
Influence of a deep-level-defect band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the Ni/Au co
[期刊论文] 作者：李晓静,赵德刚,江德生,陈平,朱建军,刘宗顺,乐伶聪,杨静,何晓光,张立群,刘建平,张书明,杨辉,,
来源：Chinese Physics B 年份：2004
The influence of a deep-level-defect(DLD) band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the performance of Ni/Au contact to p-GaN is investigated. The...
[期刊论文] 作者：李晓静,赵德刚,江德生,刘宗顺,陈平,吴亮亮,李亮,乐伶聪,杨静,何晓光,王辉,朱建军,张书明,张宝顺,杨辉,,
来源：Chinese Physics B 年份：2014
The influences of polarization and p-region doping concentration on the photocurrent response of Al0.4Ga0.6N/Al0.4Ga0.6N/Al0.65Ga0.35N p–i–n avalanche photode...
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