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不同p-GaN厚度InGaN/GaN太阳能电池性能研究

来源 :第十三届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Y5926535897

【摘 要】

：

　　采用MOCVD 技术在c面蓝宝石衬底上生长了不同p-GaN厚度的InGaN/GaN p-i-n太阳能电池,p-GaN的厚度分别为0nm,50nm,150nm.通过XRD和AFM测试分析了材料的结构特性,同时也测

【作 者】

：

李亮 赵德刚 江德生 刘宗顺 陈平 吴亮亮 乐伶聪 王辉 杨辉 

【机 构】

：

中科院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083

【出 处】

：

第十三届全国固体薄膜学术会议

【发表日期】

：

2012年期

【关键词】

：

InGaN 厚度 太阳能电池 外量子效率 p-GaN 蓝宝石衬底 实验结果 结构特性 

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　　采用MOCVD 技术在c面蓝宝石衬底上生长了不同p-GaN厚度的InGaN/GaN p-i-n太阳能电池,p-GaN的厚度分别为0nm,50nm,150nm.通过XRD和AFM测试分析了材料的结构特性,同时也测试了太阳能电池的外量子效率(EQE)和Ⅰ-Ⅴ曲线.实验结果分析表明,太阳能电池的外量子效率在波长小于360nm范围内受p-GaN 吸收的影响,导致p-GaN厚度较小的样品(50nm)的外量子效率在该波长范围内大.

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