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[学位论文] 作者：于国浩,,
来源：重庆师范大学 年份：2010
第三代半导体氮化镓(GaN)及其多元合金材料,具有优异的光学性能和电学性能,在新型短波长光电子器件和高温、高功率、高速微电子器件等领域具有广泛的应用前景。目前,各种GaN...
[学位论文] 作者：于国浩,,
来源：河北师范大学 年份：2019
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：于国浩,,
来源：中国建材科技 年份：2014
结合南坝怒江特大桥主桥施工的实际,对影响施工测量精度的因素进行了分析,提出了对应的控制措施,保证测量放样的精度。...
[期刊论文] 作者：于国浩,
来源：城市建设理论研究 年份：2004
软土地基采用粉喷桩处理效果较显著，本文根据栖萊线七合同段粉喷桩处理软土地基的施工及检测情况，提出了一些新的看法和注意事项，为以后类似情况处理提供经验。...
[学位论文] 作者：于国浩,
来源：中国科学院大学 年份：2013
Ⅲ族氮化物半导体材料具有宽禁带(GaN3.4eV, AlN6.2eV)、高击穿场强(GaN3.3MV/cm)、高电子迁移率(1300cm2/Vs)和高饱和电子漂移速度(3.0×107cm/s)等优异的材料性能。这些特...
[期刊论文] 作者：付凯,于国浩,陆敏,
来源：发光学报 年份：2011
使用GaN基材料制备了PIN结构核辐射探测器,研究了探测器对X射线响应的多方面性能。在没有X射线照射时,探测器具有很小的漏电流,在-10 V时小于0.1 nA。对探测器的X射线的响应...
[期刊论文] 作者：付凯,于国浩,陆敏,,
来源：原子能科学技术 年份：2010
通过制作大面积GaN肖特基X射线探测器，研究了GaN肖特基探测器对X射线的时间响应特性。实验采用Fe掺杂的高阻自支撑GaN片来制备器件，对不同偏压下的时间响应进行了测试。针对所...
[期刊论文] 作者：陆敏,于国浩,张国光,,
来源：原子能科学技术 年份：2010
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算,总结了使用GaN制备核探测器对材料的基本要...
[会议论文] 作者：付凯,于国浩,陆敏,
来源：第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 年份：2010
我们使用GaN基材料制备了PIN结构核辐射探测器，研究了探测器对X射线响应的多方面性能.在没有X射线照射时，探测器具有很低的漏电流，在-10V时小于0.1nA.并对探测器的X射线的响...
[期刊论文] 作者：汪学杰,杨远志,于国浩,,
来源：森林与人类 年份：2012
既是公共场所的灵动景观,又是寻常百姓家的一抹亮色,观赏水族在给人们带来极大审美享受的同时,又让人们与自然近距离接触。观赏鱼,人类的第三大宠物在千姿百态的观赏水族中,...
[期刊论文] 作者：王明月,苑进社,于国浩,
来源：发光学报 年份：2009
用四种不同光源作为激发光源，研究了蓝宝石衬底金属有机物汽相外延方法生长的氮化镓薄膜的光致发光特性。结果发现用连续光作为激发光源时，光致发光谱中除出现365nm的带边发射......
[期刊论文] 作者：付凯，于国浩，陆敏，FUKai，YUGuo-hao，LUMin,
来源：原子能科学技术 年份：2010
...
[会议论文] 作者：付凯[1]于国浩[2]陆敏[2],
来源：第六届(2010年)北京核学会核技术应用学术交流会 年份：2010
本文通过制作大面积GaN肖特基X射线探测器,研究了GaN肖特基探测器对X射线的时间响应特性。实验采用Fe掺杂的高阻自支撑GaN片来制备器件,对不同偏压下的时间响应进行了测试。...
[期刊论文] 作者：于国浩,付凯,陆敏,苑进社,,
来源：半导体光电 年份：2010
实验研究了两种由ICP刻蚀不同结构的n型GaN材料与金属接触形成的肖特基二极管的I-V特性,分析计算了GaN基肖特基二极管的势垒高度和理想因子。研究发现n型GaN半导体材料表面费...
[期刊论文] 作者：于国浩,范薇,韦辉,姜有恩,,
来源：红外与激光工程 年份：2012
重复频率激光放大器在重频工作条件下,激光增益介质的温度升高会影响其放大能力,其内部的温度梯度会影响激光光束的光学质量,甚至会发生激光增益介质的热破坏。对国产抗热冲...
[期刊论文] 作者：于国浩,张志利,郝荣晖,张宝顺,,
来源：电力电子技术 年份：2017
针对氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）电力电子器件应用面临的挑战，从阈值电压回滞效应、电流崩塌效应和增强型的实现等进行讨论。在CaN表面沉积Si3N。前进行原位氮（N）等离子体......
[会议论文] 作者：刘爽,于国浩,蔡勇,苑进社,张宝顺,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
采用原子层淀积(ALD),制备Al2O3(8nm)为栅介质的Si衬底AlGaN/GaN金属绝缘栅高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT).器件栅长2μm,栅宽100um,制备的MIS-HEMT器件经过400℃、10分钟退火后,栅电极反向泄漏电流降低了四个数量级,关态耐压从45V提高到190V;正向栅电压最高可以......
[期刊论文] 作者：唐文昕,郝荣晖,陈扶,于国浩,张宝顺,
来源：物理学报 年份：2018
GaN材料具有优异的电学特性,如大的禁带宽度（3.4 eV）、高击穿场强（3.3 MV/cm）和高电子迁移率（600 cm2/（V·s））. AlGaN/GaN异质结由于压电极化和自发极化效应,产生高密度（1×10...
[期刊论文] 作者：李淑萍, 何涛, 付凯, 于国浩, 张晓东, 熊敏, 张宝顺,
来源：红外技术 年份：2018
随着军事和民用对高集成度、多色化光电探测的不断需求,在近几十年内,紫外-红外（UV-IR）双色集成探测器从无到有,从彼此独立的紫外和红外探测器的简单集成发展到如今量子阱结构...
[期刊论文] 作者：陈扶,唐文昕,于国浩,张丽,徐坤,张宝顺,
来源：物理学报 年份：2020
U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影响GaN MOS结构中的界面态特性和器件的沟道...
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