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第三代半导体氮化镓(GaN)及其多元合金材料,具有优异的光学性能和电学性能,在新型短波长光电子器件和高温、高功率、高速微电子器件等领域具有广泛的应用前景。目前,各种GaN基探测器特别是太阳盲区紫外探测器和核辐射探测器已成为新的研究热点。由于GaN具有宽带隙、强共价键结合、高熔点、高击穿电场、抗腐蚀、抗辐射等优良性能。在强辐射场的探测领域,随着研究的辐射源强度越来越大,常规的硅基探测器已不能在如此高的辐射场中正常工作。因此,研究GaN基肖特基结核辐射探测器的制备与性能具有重要的意义。本文基于n-GaN材料制作的肖特基结室温核辐射探测器,研究了在n-GaN.在材料上做欧姆接触的方法,包括合金化方案,材料的表面处理工艺,以及退火工艺。采用一次镀膜Ti(20nm)/Al(20nm)/Ti(20nm)/Au(300nm)结构的合金化方案,发现采用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)处理效果最好,比接触电阻率为3×10-8(Ω·cm2)；盐酸：氢氟酸：水(HCl:HF:H2O=1:1:10)处理效果次之,比接触电阻率为1.1×10-7(Ωcm2),退火使欧姆接触特性变差。本文采用双肖特基接触分析了n-GaN材料与Ni(25nm)/Au(25nm)的接触特性,研究了表面处理对肖特基接触的影响,发现采用盐酸：氢氟酸：水(HCl:HF: H2O=1:1:10)的方法进行的表面处理得到的肖特基接触理想因子为3.17,采用ICP处理后得到的肖特基接触理想因子为12.17。通过对两种不同结构的n-GaN肖特基二极管电压-电流特性的分析,发现ICP刻蚀后,金属与n-GaN材料易于形成欧姆接触。将肖特基接触作在未经ICP刻蚀的台面上,将欧姆接触做到ICP刻蚀后的GaN面上,得到的肖特基二极管伏安特性较为理想。通过α核辐射能谱的分析,发现所做n-GaN肖特基二极管室温核辐射探测器在室温下具有一定的核辐射探测能力。通过伏安特性分析,发现反向漏电流较大,耗尽层较窄,所能承受反偏压较小等因素直接影响了n-GaN肖特基二极管核辐射探测器的探测效率和分辨率。因此,改进肖特基结的制作工艺,减小核辐射探测器的反向漏电流,加大核辐射探测器耗尽层的厚度,提高核辐射探测器的击穿电压。使用自支撑生长的GaN材料,制作上下结构室温核辐射探测器等工作有待进一步研究,争取实现更高的探测效率和分辨率。