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[期刊论文] 作者：Sato.,M,任呈香,
来源：半导体情报 年份：1996
在硅深－亚微米沟道反应离子刻蚀中，发现氟化气体比氯化气体显然有较大的微－负载效应，为了解释气体效应，利用Ｃｌ２和ＳＦ６进行了模型实验，对腐蚀深度与图形宽度的关系进行了计算，计算时既考虑了......
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