搜索筛选:
搜索耗时2.8250秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 6 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：任国屋,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1984
1983年南京固体器件研究所研制定型的GaAs FET,在频率高达12GHz时,有优良的微波性能。该器件的噪声系数最佳水平F_(min)≤1.5dB,已与近年来国际上同类产品的先进水平相当。...
[期刊论文] 作者：任国屋,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
本文详细讨论了有耗串联网络对低噪声GaAs FET的信号参数和噪声参数的影响,以及同时获得噪声匹配和功率匹配的条件。以WC606型GaAs FET为计算实例表明:在频率为12GHz,当串联...
[期刊论文] 作者：任国屋,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1986
本文论述串联和并联反馈对GaAs FET最小噪声系数的影响,并推导了一组串联和并联反馈等效噪声参数的转换公式;利用测得的最小噪声系数F_(min)、等效噪声电阻R_N和最佳源导纳Ys...
[期刊论文] 作者：任国屋,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1984
本文简述GaAs FET噪声系数(≤1.0dB)的测量原理、匹配网络、测量方法以及测量误差分析。对WC514型GaAs FET在4GHz下测量,最小噪声系数F_(min)≤1.0dB,其测量误差为±0.20dB。...
[期刊论文] 作者：任国屋,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1983
设计低噪声场效应放大器时,器件的“s”参数和最佳信源阻抗是极其重要的参数.根据GaAs MESFET“s”参数理论计算公式,从小信号等效电路元件值计算WC50型MESFET的“s”参数列...
[会议论文] 作者：任国屋,
来源：全国高频、微波噪声计量、测试技术和应用学术交流会 年份：1987
...
相关搜索：
