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[期刊论文] 作者：任治璋,王向明,
来源：微细加工技术 年份：1991
本文介绍利用已建成的双束低能离子束薄膜淀积系统,制备Si、Ge、GaN低温外延膜,Si/CoSi_2/Si多层结构膜,以及金刚石多晶膜。...
[期刊论文] 作者：王向明,任治璋,
来源：薄膜科学与技术 年份：1990
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[会议论文] 作者：姚振钰,任治璋,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：任治璋,王向明,姚振钰,刘志剀,秦复光,
来源：微细加工技术 年份：1991
本文介绍利用已建成的双束低能离子束薄膜淀积系统,制备Si、Ge、GaN低温外延膜,Si/CoSi_2/Si多层结构膜,以及金刚石多晶膜。This paper introduces the fabrication of Si,...
[期刊论文] 作者：姚振钰,任治璋,王向明,刘志凯,黄大定,秦复光,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1992
采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;...
[期刊论文] 作者：黄大定,秦复光,姚振钰,刘志凯,任治璋,林兰英,高维滨,任庆余,
来源：半导体学报 年份：1995
采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化学比．Ｘ射线双晶衍射得到明......
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