搜索筛选:
搜索耗时2.7924秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 10 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：伊廷荣,,
来源：江苏大学 年份：2009
单片开关电源自从20世纪90年代中期问世以来,以具有高集成度、高性-价比、最简外围电路、最佳性能指标等特点,显示出强大的生命力,现已成为国际上开发中、小功率开关电源、精...
[期刊论文] 作者：植万江,成立,范汉华,王玲,伊廷荣,,
来源：半导体技术 年份：2008
设计了一种电源电压低于阈值电压的低电压、低功耗、输入/输出全摆幅的密勒运算跨导放大器(OTA),采用衬底驱动差分对和直流电平偏移技术,使MOS器件工作在亚阈值区,降低了对电...
[期刊论文] 作者：范汉华,成立,植万江,王玲,伊廷荣,,
来源：半导体技术 年份：2008
为了满足超大规模集成电路(VLSI)芯片高性能、多功能、小尺寸和低功耗的需求,采用了一种基于贯穿硅通孔(TSV)技术的3D堆叠式封装模型。先用深反应离子刻蚀法(DRIE)形成通孔,...
[期刊论文] 作者：伊廷荣,成立,王玲,范汉华,植万江,,
来源：半导体技术 年份：2008
设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器（LNA）。所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50Ω的输入阻抗匹配。文中设计的放大器采用TSMC0.18μmCMOS工艺,...
[期刊论文] 作者：成立,植万江,范汉华,王玲,伊廷荣,王振宇,,
来源：半导体光电 年份：2008
设计了一款0.25μm BiC MOS差分光电转换器,包括光电转换和运算放大电路两部分。设计过程中首先采取改进电路结构、优化器件参数的措施,以实现高速宽带低功耗的设计目标;然后...
[期刊论文] 作者：王玲,成立,伊廷荣,植万江,范汉华,王振宇,
来源：半导体技术 年份：2008
为了提高数字通信电路的速度，设计了两种BiCMOS开关电流存储器。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管（BJT），但在电路的主体部分则设置MOS器件。推导出了存储电路的......
[期刊论文] 作者：成立,王玲,伊廷荣,植万江,范汉华,王振宇,,
来源：半导体光电 年份：2008
对常规激光键合在Si-玻璃键合工艺中因高温而引起的负面效应进行了分析，从而设计出芯片表面活化预键合与激光键合工艺相结合的方法。该方法已用于微电子机械系统（MEMs）样片封装......
[期刊论文] 作者：成立,范汉华,植万江,王玲,伊廷荣,王振宇,,
来源：半导体光电 年份：2008
设计了一种用于SDH系统STM-64（10Gb／s）速率级光接收机中的BiCMOS放大电路，包括NMOS共栅一共源前置放大器和差分式BiCMOS主放大器；各个放大器中都引入了负反馈；并精选了元器件参数，采......
[期刊论文] 作者：成立,王玲,伊廷荣,植万江,范汉华,王振宇,
来源：半导体光电 年份：2008
设计了一种0．18μmCMOS模数光电变换器，包括光电检测和施密特模数变换电路两部分。为了改善它的增益线性度和稳定性，所用运算放大器中引入了负反馈，并采取了改进电路结构和优选元......
[期刊论文] 作者：王振宇,成立,植万江,王玲,祝俊,范汉华,伊廷荣,,
来源：半导体技术 年份：2007
为了改善其速度和电流驱动性能，设计了两例BiCMOS模拟电子开关电路。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管（BJT），而在电路的主体部分设置CMOS器件。优选了元器件参......
相关搜索：
