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[期刊论文] 作者：马翔,伍墨,陈娟,郭兴荣,
来源：价值工程 年份：2012
随着人口老龄化的不断加剧，老龄问题日益进入更多人的视野。在应对人口老龄化进程中，构建一个以居家养老为基础、社区服务为依托、机构养老为补充的城乡一体化新型养老服务体系......
[会议论文] 作者：伍墨,张宝顺,王建峰,朱建军,杨辉,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
在Si(111)上生长六方GaN,一般采用AlN缓冲层技术,一方面可以抑制Si衬底上的Si原子扩散到GaN中形成SiN,另一方面,可以缓解GaN与Si衬底之间的张应力,从而可以提高GaN外延层的晶体质量.本文进述了影响AlN缓冲层的一些因数以及AlN缓冲层的生长速度对GaN晶体质量的影......
[期刊论文] 作者：王建峰,张纪才,张宝顺,伍墨,王玉田,杨辉,梁骏吾,
来源：半导体学报 年份：2005
通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13～20nm之间时,GaN...
[会议论文] 作者：王建峰,张纪才,张宝顺,伍墨,王玉田,杨辉,梁骏吾,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
本文通过高分辨X射线衍射、光荧乐、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13-20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此外,SIMS分析表明,当AlN缓......
[期刊论文] 作者：张宝顺,伍墨,陈俊,沈晓明,冯淦,刘建平,史永生,段丽宏,朱,
来源：半导体学报 年份：2004
采用AIN插入层技术在Si(111)衬底上实现无微裂GaN MOCVD生长．通过对GaN外延层的α，c轴晶格常数的测量，得到了GaN所受张应力与AIN插入层厚度的变化关系，当AIN厚度在7～13nm范围内，GaN...
[期刊论文] 作者：王俊,赵德刚,刘宗顺,伍墨,金瑞琴,李娜,段俐宏,张书明,朱,
来源：半导体学报 年份：2004
在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层结构，以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器．测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C-V特性曲...
[期刊论文] 作者：王俊,赵德刚,刘宗顺,伍墨,金瑞琴,李娜,段俐宏,张书明,朱建军,杨辉,
来源：半导体学报 年份：2004
在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)方法生长GaN外延层结构 ,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器 .测量了该紫外探测器的暗电流曲线、...
[期刊论文] 作者：张宝顺,伍墨,陈俊,沈晓明,冯淦,刘建平,史永生,段丽宏,朱建军,杨辉,梁骏吾,
来源：半导体学报 年份：2004
采用 Al N插入层技术在 Si(1 1 1 )衬底上实现无微裂 Ga N MOCVD生长 .通过对 Ga N外延层的 a,c轴晶格常数的测量 ,得到了 Ga N所受张应力与 Al N插入层厚度的变化关系 .当 A...
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