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[学位论文] 作者：何俊蕾,
来源：中国科学技术大学 年份：2019
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[期刊论文] 作者：杨洋,熊娟,何俊蕾,郭飞,顾豪爽,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2013
采用化学气相沉积(CVD)方法在有金催化层的硅片上制备了SnO2纳米线。用扫描电子显微镜(SEM)及X射线衍射仪(XRD)对其形貌及结构进行了表征,分析了蒸发温度及氧气流量对SnO2相...
[会议论文] 作者：何俊蕾,冯美鑫,周宇,戴淑君,钟耀宗,高宏伟,孙钱,杨辉,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
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[会议论文] 作者：冯美鑫,何俊蕾,周宇,钟耀宗,高宏伟,孙钱,刘建平,张书明,杨辉,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
硅基光子学与传统硅基微电子工艺兼容，被认为是实现光互联和光电集成的一种可能路径.然而硅为间接带隙半导体，无法高效发光.GaN基材料为第三代半导体，发光波长涵盖可见光波段，具有发光效率高、化学稳定性好等优点.......
[会议论文] 作者：钟耀宗,周宇,高宏伟,戴淑君,冯美鑫,何俊蕾,孙钱,张继军,杨辉,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
P型栅GaN基增强型HEMT(p-GaN E-HEMT)是当前GaN基电力电子器件研究中最具应用前景的技术方案之一，已为业界广泛采用，如加拿大GaN System、美国EPC、日本Panasonic等。...
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