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[学位论文] 作者：余开庆,
来源：上海交通大学 年份：2023
以硅为主要材料的MEMS器件已经广泛应用在消费电子、生物医疗和汽车等领域,但随着社会需求的不断多样化和科研工作的深入,在一些高温、高压、强震动的极端环境下,硅基器件经常会出现性能退化甚至失效等问题,已难以符合实际应用需求。碳化硅（Si C）材料具有较宽禁带......
[期刊论文] 作者：余开庆, 程萍, 丁桂甫, Roya MABOUDIAN,,
来源：传感器与微系统 年份：2004
综述了碳化硅(SiC)材料的薄膜沉积、刻蚀、减薄、键合、欧姆接触等微加工工艺,并以SiC高温电容压力传感器为典型应用,介绍了SiC高温压力传感器的研究现状。...
[期刊论文] 作者：余开庆,程萍,丁桂甫,Roya MABOUDIAN,赵小林,,
来源：传感器与微系统 年份：2018
综述了碳化硅(SiC)材料的薄膜沉积、刻蚀、减薄、键合、欧姆接触等微加工工艺,并以SiC高温电容压力传感器为典型应用,介绍了SiC高温压力传感器的研究现状。...
[期刊论文] 作者：余开庆, 程萍, 丁桂甫, Roya MABOUDIAN, 赵小,
来源：传感器与微系统 年份：2018
...
[期刊论文] 作者：包化,谢涛,王伟,徐俊,余开庆,钟万里,,
来源：广东电力 年份：2015
基于 L（0,2）模态超声导波分析管道裂纹损伤的回波特征。首先,基于 ANSYS 软件,通过删除单元的方法建立金属管道的裂纹缺陷的有限元模型；用脉冲–回波的方法模拟 L（0,2）模态波对管......
[期刊论文] 作者：孙康康, 陈燕平, 忻兰苑, 王晓年, 余开庆, 胡长风,,
来源：机车电传动 年份：2004
为更好地发挥全SiC器件的开关速度快、损耗低等优势,研究了某款3 300 V全SiC MOSFET器件的开关特性。首先,通过理论分析阐述了开关变化过程,并给出了可量化的计算方法;其次,...
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