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[学位论文] 作者：余裕宁,
来源：杭州电子科技大学 年份：2010
相比于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,硅基CMOS工艺以其低成本、低功耗、易于系统集成等特点,已成为近年来集成电路设计的热点。另一方面,随着MOSFET特征尺寸的不断降低,各种新的器件...
[期刊论文] 作者：余裕宁,孙玲玲,刘军,
来源：电子器件 年份：2010
提出了一个可用于0.18μmCMOS工艺RF-MOSFET的源漏电阻的可缩放模型。采用了一种直接基于S参数测量的方法来准确提取端口的寄生电阻,该模型充分考虑了各种版图尺寸,如沟道长...
[期刊论文] 作者：余裕宁,孙玲玲,刘军,,
来源：电子器件 年份：2010
提出了一个可用于0.18μmCMOS工艺RF-MOSFET的源漏电阻的可缩放模型。采用了一种直接基于S参数测量的方法来准确提取端口的寄生电阻,该模型充分考虑了各种版图尺寸,如沟道长...
[期刊论文] 作者：余裕宁,孙玲玲,刘军,,
来源：半导体学报 年份：2010
A novel scalable model for multi-finger RF MOSFETs modeling is presented.All the parasitic components, including gate resistance,substrate resistance and wiring...
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