相比于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,硅基CMOS工艺以其低成本、低功耗、易于系统集成等特点,已成为近年来集成电路设计的热点。另一方面,随着MOSFET特征尺寸的不断降低,各种新的器件结构不断涌现,器件尺寸的缩小带来了射频性能上的提升,使其备受射频集成电路(RFIC)设计者的青睐。　　 器件模型成为连接IC设计与集成电路制造的重要纽带,成功的集成电路设计强烈依赖于器件模型。PSP模型作为一种表面势模型以其物理意义明确,能够准确描述深亚微米器件各种行为等优点成功取代BSIM3/4模型,于2005年被CMC(compaet Model Council)选定为工业界新一代MOS器件标准模型。尽管模型推出有许多年,然而目前一些代工厂仍停留在以BSIM模型为基础开发器件模型库,将先进模型PSP应用于国内工艺线成为一项十分有意义的工作。　　 相比于面向数字域和低频模拟应用的模型,面向RFIC应用的器件建模十分具有挑战性,模型不仅需要满足低频应用时的所有需求,还需要准确反应器件在高频率时候出现的寄生。对于高频电路设计来说,晶体管的版图和高频寄生的影响是至关重要的,它们直接影响着整个电路的性能。从实际器件版图结构角度来构建一套物理意义明确的射频模型库以供RFIC设计者使用重要性不言而喻。另外,对于射频模型参数提取来说,一套合理的参数提取流程,对于器件建模工作者来说十分重要,它可以大大缩短参数提取时间,提高工作效率。　　 本文在正确理解MOSFET工作特性和各种物理效应的基础上,结合实际需求,对新一代工业界标准模型PSP的各种表征手法展开研究,结合标准RF-CMOS工艺线的流片数据,以PSP模型为基础完成直流参数提取,并结合器件版图对其在RF条件下的三个重要的寄生部分栅极电阻,衬底电阻,寄生电容等模型进行表征,实现了可用于0.13微米工艺的RF-MOSFET模型及模型库参数提取工作。测试、仿真对比结果表明,模型以及参数提取方法可以准确表征该器件的直流特性及100MHz-20GHz频率范围内的射频特性。文章还提出了射频部分参数提取流程,并在EDA工具MBP平台下采用JAVA实现该流程的开发。