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[期刊论文] 作者:侯晓远, 来源:山西统计 年份:2001
[期刊论文] 作者:侯晓远,, 来源:光学与光电技术 年份:2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”$ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’#陈川个美食Back to yield...
[会议论文] 作者:侯晓远;, 来源:第六届全国暨华人有机分子和聚合物发光与激光学术会议 年份:2009
  The effect of magnetic fields on electroluminescence of an organic light-emitting device,known as organicmagnetoelectroluminescence,shows the relation betwe...
[期刊论文] 作者:侯晓远,, 来源:科学 年份:1992
多孔硅可见光发射现象是近一两年半导体物理学界的重大发现。1992年初,美国物理学会从1991年凝聚态物理和材料物理的80多项进展中选出七大进展,多孔硅可见光发射就是其中之...
[会议论文] 作者:侯晓远, 来源:第六届全国暨华人有机分子和聚合物发光与激光学术会议 年份:2009
The effect of magnetic fields on electroluminescence of an organic light-emitting device,known as organicmagnetoelectroluminescence,shows the relation between the spin-related exciton dynamics and the...
[期刊论文] 作者:侯晓远, 陈红爱,, 来源:中共山西省委党校学报 年份:2005
劳动力资源是社会再生产的必要条件,其变化特点和被利用状况对经济社会发展产生着直接影响。20世纪80年代以来,山西劳动力资源比重持续增长,就业增长率显著下降,失业率明显上...
[期刊论文] 作者:周翔,侯晓远, 来源:物理 年份:1999
有机发光二极管(OLEDs)即将实用化,但其稳定性仍是急需解决的关键问题。文章简要综述了OLEDs及其稳定性问题,着重从OLEDs的失效过程、水汽和氧气、电极材料及其界面对OLEDs稳定性的影响、有机材料本身......
[期刊论文] 作者:王迅,侯晓远, 来源:物理 年份:1992
由于Si是一种禁带宽度只有1.1eV的间接带隙材料,其发光效率极低,因此长期以来Si被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料.但近一两年才出现的多孔硅光致发光现象,对人们的这种传......
[期刊论文] 作者:侯晓远,黄列, 来源:真空科学与技术 年份:1992
对进口ADES-400型角分辨电子能谱仪的计算机控制录谱系统进行了改造,使谱仪增加了高分辨电子能量损失谱(HREELS)的计算机控制录谱功能,并且使HREELS谱的灵敏度提高了近两个数...
[期刊论文] 作者:侯晓远,王迅, 来源:物理 年份:1993
最近,复旦大学应用表面物理实验室在多孔硅发光研究方面又取得两项新的进展,现介绍如下:1.电致发光的功耗低于文献报道的水平 目前,我们所制成的多孔硅电致发光样品,其发光的...
[会议论文] 作者:于浩淼,侯晓远, 来源:International Conference on Molecular Electronic Materials a 年份:2015
  The major obstacle to directly determine exciton behaviors in common organic photovoltaic materials(e.g.fullerene)is the absence of room-temperature lumines...
[期刊论文] 作者:侯晓远,李述汤, 来源:物理 年份:1999
利用光电子能谱了镁、金与8-羟基喹啉铝的界面。对于Mg/Alq3和Au/Alq3两种界面,费米能级到Alq3的最高占有轨道边的距离都约为1.7eV,与金和镁的功函数无关。......
[期刊论文] 作者:丁训民,侯晓远, 来源:物理学进展 年份:1992
本文综述了应用同步辐射光源的几种主要表面物理研究技术。内容包括:同步辐射光电子能谱(SRPES)、表面广延X射线吸收边精细结构(SEXAFS)、光电子衍射(PED)和掠角入射X射线衍...
[期刊论文] 作者:卢学坤,侯晓远, 来源:半导体学报 年份:1994
离子束处理在器件工艺和材料表征技术中有着广泛的应用,本文采用低能电子衍射、X光电子能谱和角分辨紫外光电子能谱对GaP极性表面经Ar离子溅射后的损伤情况进行了研究,主要探讨表面损......
[期刊论文] 作者:袁泽亮,侯晓远, 来源:物理 年份:1998
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的表面钝化是一个长期未能完满的解决的问题,80年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力,文章对有关硫化技术使Ⅲ-Ⅴ簇化合物半导体器件性能得到的改善以......
[期刊论文] 作者:俞鸣人,侯晓远, 来源:物理 年份:1994
90年代安发展起来的发光多孔硅材料在发光的全色性,电致发光的效率以及稳定性等方面取得不少重要进展。介绍了几种多孔硅发光二极管结构及有关的电致发光机理,从共进展的速度以及......
[期刊论文] 作者:朱建红,侯晓远, 来源:半导体学报 年份:1991
用高分辨电子能量损失谱(HREELS)结合XPS研究了硫钝化的GaAs(100)面.HREELS的结果与XPS一致,证明钝化后GaAs(100)面的自然氧化物被完全除去,样品表面形成了一层主要由As-S键...
[期刊论文] 作者:郝平海,侯晓远, 来源:半导体学报 年份:1995
本文首次使用分辨电子能量损失谱(HREELS)和紫外光电子能谱(UPS)研究新腐蚀的多孔硅样品(PS)的电子结构,实验结果发现,从HREELS谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值到2.9eV左右。与文献报道的光激发......
[期刊论文] 作者:袁泽亮,侯晓远, 来源:固体电子学研究与进展 年份:1998
表面钝化是Ⅲ-Ⅴ族半导体工艺的难题之一,硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法,文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜所取得的成就。...
[期刊论文] 作者:廖良生,侯晓远, 来源:自然科学进展 年份:1997
硅是最重要的半导体材料。为了实现硅基光电子集成,硅基发光材料的研究正日益受到重视。近年来,人们开始把硅表面上的热氧化SiO_2薄膜作为一种发光材料来加以研究。这是...
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