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[学位论文] 作者：侯欣蓝,,
来源：西安电子科技大学 年份：2021
随着电力电子科学技术的飞速发展,以碳化硅为代表的第三代半导体材料,以其高的临界电场、宽禁带、高的热导率、高饱和电流等优点成为社会各界研究关注的焦点,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Silicon Carbide Metal-OxideSemiconductor Field Effect Transi......
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