随着电力电子科学技术的飞速发展,以碳化硅为代表的第三代半导体材料,以其高的临界电场、宽禁带、高的热导率、高饱和电流等优点成为社会各界研究关注的焦点,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Silicon Carbide Metal-OxideSemiconductor Field Effect Transistor,SiC MOSFET)也因为能耐高温高压、高频率、低损耗、抗辐射以及高功率的性能优势,被广泛应用在航空航天、金属冶炼、轨道交通等需要工作在特殊工作环境下的领域。准确的SiC MOSFET器件模型能简化电子电路的应用设计过程,为电路的仿真结果提供可靠保障,器件模型的研究成为SiC MOSFET应用路上的重点。本文主要研究了SiC MOSFET PSpice模型的建模方法,并建立了PSpice模型。首先研究了SiC MOSFET器件结构、传统模型结构以及现有的模型建立方法的特点,通过分析,概括出了一种以核心MOS、体二极管、电阻和电容各部分自身补偿的等效模型结构。并经过对Shichman-Hodoges模型工作原理的分析,将MOSFET器件模型的参数按工艺和电特性分类,确立了通过器件特性曲线数据输入来提取模型参数的方法。由模型编辑器提取出的SiC MOSFET的模型参数值,利用模型描述语言建立了简单的SiC MOSFET PSpice模型。然后选取了三款不同的SiC MOSFET器件样品,分别使用半物理模型建立方法、子电路宏模型建模方法以及模型描述语言建模方法,对样品的器件模型进行研究,并分别建立了样品等效子电路模型。通过使用静态仿真电路对每个等效电路模型进行仿真,根据每种模型的静态仿真结果,分析了在使用每种建模方法对SiC MOSFET不同结构单元建模时,所存在的优点和缺点,从而提出了在建立PSpice模型时应该采用多种建模方法相配合的新型建模理念,并确立了以半物理等效电路与模型描述语言相结合的PSpice模型建立方法。最后对Cree公司型号C2M0045170D SiC MOSFET样品,使用半物理等效电路与模型描述语言相结合的方法,分别从核心MOS、电阻、电容和体二极管四个单元建立了PSpice模型。应用静态仿真电路,对PSpice模型分别在-40℃、25℃和150℃三种温度条件下,进行静态特性仿真,将仿真结果与样品数据手册中的静态特性曲线进行对比,验证了模型的静态特性。对PSpice模型和样品的官方模型,分别应用双脉冲测试电路和电压型单相全桥型逆变电路,进行动态开关测试和高频特性仿真测试,并通过对比两种模型的仿真结果,验证了模型的动态特性和收敛性。PSpice模型的静态特性曲线和动态特性曲线与样品数据手册及仿真曲线基本吻合,并且与官方样品模型相比拥有较好的收敛性,从这三个方面的验证结果,进一步说明了采用半物理描述语言相结合方法所建模型的准确性。