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[期刊论文] 作者：罗睿宏, 倪毅强,,
来源：电力电子技术 年份：2017
目前，采用Si上生长氮化镓（GaN）材料这一技术路线制备功率电子器件，已成为业界共识。而这一技术路线最大的挑战就是Si衬底GaN外延生长应力调控、高耐压和导通电阻稳定性控制技术。......
[期刊论文] 作者：罗道军, 倪毅强, 何亮, 郭小童, 杨施政,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2021
电子元器件是现代信息社会的基石,其质量和可靠性决定了电子设备和系统的可靠性和安全水平。电子元器件失效分析主要是为了发现并确定电子元器件的失效机理和原因,并反馈给研制和使用方作为改进的依据,以防止类似的失效复现,从而达到提高产品品质和可靠性的目的......
[期刊论文] 作者：张莹洁,陈斌,丁勇,王玉,刘子莲,倪毅强,
来源：电子工艺技术 年份：2021
焊锡膏的材料一致性关乎产品的批次稳定性,有必要开展对焊锡膏成分的定性定量分析研究工作.采用熔融冷却、溶剂溶解和离心分离等手段对焊锡膏进行预处理,得到金属、溶液和悬浮物三部分.再通过电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、气相色谱-质谱联用仪(GC-MS)......
[期刊论文] 作者：杨帆,林哲雄,张炜,张金城,王硕,贺致远,倪毅强,刘扬,,
来源：中国科技论文 年份：2014
利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气（2 dimensional electron gas，2DEG）形成之间的关系，分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的...
Electrical properties of MOCVD-grown GaN on Si (111) substrates with low-temperature AlN interlayers
[期刊论文] 作者：倪毅强,贺致远,钟健,姚尧,杨帆,向鹏,张佰君,刘扬,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
The electrical properties of the structure of GaN grown on an Si (111) substrate with low-temperature (LT) AlN interlayers by metal-organic chemical-vapour depo...
[期刊论文] 作者：何亮, 张晓荣, 倪毅强, 罗睿宏, 李柳暗, 陈建国, 张佰君,
来源：电源学报 年份：2019
...
[会议论文] 作者：倪毅强,贺致远,杨帆,姚尧,周德秋,吴志盛,张佰君,刘扬,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
本文研究了不同等效Al组分的AlN/GaN超晶格缓冲层结构对Si衬底上GaN外延材料(图la)特性的影响.其中超晶格中的等效Al组分被定义为Al％=dAlN/(dAlN+dGaN)× 100％.我们通过改变AlN或者GaN的厚度,成功获得了不同等效Al组分超晶格的Si衬底上GaN外延材料样品(A1％范围10％～30......
[期刊论文] 作者：任艳,王健,方栓柱,倪毅强,王之哲,黎振超,谢燊坤,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2023
随着多层陶瓷电容器（MLCC）制造工艺和技术的不断发展，MLCC对质量可靠性的要求也在不断地提高。随着5G、新能源汽车和通信等行业对集成电路的需求的增大，MLCC的市场规模将会进一步地提升，技术发展也会更加的多元和多样化。对目前MLCC存在的主要失效模式、失效机理和质......
[期刊论文] 作者：何亮,张晓荣,倪毅强,罗睿宏,李柳暗,陈建国,张佰君,刘扬,
来源：电源学报 年份：2019
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了...
[会议论文] 作者：杨帆,贺致远,倪毅强,姚尧,王硕,张金城,吴志盛,张佰君,刘扬,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
GaN材料体系以其禁带宽度大、耐高压、耐高温等优越性能非常适合制作微波放大及功率开关器件,AlGaN/GaN异质结构是其中的代表.在生长GaN外延层的几种可能衬底材料(蓝宝石、SiC、Si和GaN)中,Si衬底有明显的低价格优势,同时导热性较好,而且其晶片尺寸大,从而有效......
[会议论文] 作者：倪毅强;刘扬;贺致远;钟健;杨帆;姚尧;沈震;向鹏;柳铭岗;张佰君;,
来源：2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件 年份：2013
本文研究了以低温AlN插入层(LT-AlN)作为应力缓冲层于Si衬底上外延生长GaN的电学特性.采用霍尔效应测试在Si衬底上GaN样品中发现了一种反常的P型现象.这种现象主要是由于外延...
Si and Mg pair-doped interlayers for improving performance of AlGaN/GaN heterostructure field effect
[期刊论文] 作者：倪毅强,贺致远,姚尧,杨帆,周德秋,周桂林,沈震,钟健,郑越,张佰君,刘扬,,
来源：Chinese Physics B 年份：2004
We report a novel structure of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors(HFETs) with a Si and Mg pairdoped interlayer grown on Si substrate. By optimiz...
[期刊论文] 作者：钟健,姚尧,郑越,杨帆,倪毅强,贺致远,沈震,周桂林,周德秋,吴志盛,张伯君,刘扬,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
The influences of dry-etching damage on the electrical properties of an AlGaN/GaN Schottky barrier diode with ICPrecessed anode was investigated for the first t...
[会议论文] 作者：Fan Yang,Zhexiong Lin,Wei Zhang,Jincheng Zhang,Zhiyuan He,Yiqiang Ni,Yang Liu,杨帆,林哲雄,张炜,张金城,贺致远,倪毅强,刘扬,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文主要利用模拟软件对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)形成过程中施主表面态的影响进行研究,主要分析施主表面态电离过程及表面态能级位置、表面态密度的影响。模...
[会议论文] 作者：Fan Yang,杨帆,Zhexiong Lin,林哲雄,Wei Zhang,张炜,Jincheng Zhang,张金城,Zhiyuan He,贺致远,Yiqiang Ni,倪毅强,Yang Liu,刘扬,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文主要利用模拟软件对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)形成过程中施主表面态的影响进行研究,主要分析施主表面态电离过程及表面态能级位置、表面态密度的影响。模拟显示施主表面态为2DEG中电子来源,A1GaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变......
[会议论文] 作者：Zhen Shen,沈震,Jincheng Zhang,张金城,Guilin Zhou,周桂林,Zhiyuan He,贺致远,姚尧,Yao Yao,倪毅强,Yiqiang Ni,Fan Yang,杨帆,,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文采用原子层沉积技术(ALD),在AlGaN/GaN异质结构上制备了10nm Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件。该器件阈值电压为-12V、最大沟道电流为880mA/mm、最大跨导为110meS/mm.通过将其同AlGaN/GaN HFET器件电学特性进行对比,发现Al2O3介质层的插入降低了栅极......
[会议论文] 作者：Yiqiang Ni,Zhiyuan He,Jian Zhong,Fan Yang,Yao Yao,Peng Xiang,Baijun Zhang,Yang Liu,倪毅强,贺致远,钟健,杨帆,姚尧,向鹏,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文对Si衬底上插入了低温AlN应力缓冲层的GaN外延结构进行了研究,并在该外延结构中观察到了一种反常的P型导电现象。针对该现象,对比具有不同结构的样品进行研究。通过S...
[会议论文] 作者：Yiqiang Ni,倪毅强,贺致远,Zhiyuan He,Jian Zhong,钟健,Fan Yang,杨帆,Yao Yao,姚尧,Peng Xiang,向鹏,张佰君,Baijun Zhang,Yang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文对Si衬底上插入了低温AlN应力缓冲层的GaN外延结构进行了研究,并在该外延结构中观察到了一种反常的P型导电现象。针对该现象,对比具有不同结构的样品进行研究。通过SIMS和变温Hall测试分析,P型现象主要是由于外延生长时高温AlN中的A1原子扩散进Si衬底所导致......
[会议论文] 作者：Zhiyuan He,贺致远,倪毅强,Yiqiang Ni,Fan Yang,杨帆,Yao Yao,姚尧,Zhen Shen,沈震,Peng Xiang,向鹏,张佰君,Baijun Zhang,Yang,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文分析了以低温AlN插入层(700℃)作为应力缓冲层生长高阻Si衬底GaN外延的漏电流特性。通过对比两组不同结构的GaN外延层两端横向击穿测试，发现引入低温AlN插入层后，体材料漏电流显著上升，从而导致击穿电压下降。进一步的变温霍尔测试和二次离子质谱测试可以证实......
[会议论文] 作者：ZhenShen[1]沈震[2]JinchengZhang[1]张金城[2]GuilinZhou[1]周桂林[2]ZhiyuanHe[1]贺致远[2]姚尧[2]YaoYao[1]倪毅强[2]YiqiangNi,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文采用原子层沉积技术(ALD),在AlGaN/GaN异质结构上制备了10nm Al2O3栅介质层AlGaN/GaN MOS-HFET器件。该器件阈值电压为-12V、最大沟道电流为880mA/mm、最大跨导为110...
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