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[期刊论文] 作者：倪炜江,,
来源：半导体技术 年份：2014
利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3 300 V 4H-SiC肖特基二极管。器件的正向电压为1.7 V时,电流达到10.3 A,相应电流密度为100 A/cm2,比导通电阻为7.77 mΩ·...
[会议论文] 作者：倪炜江,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3300V 4H-SiC肖特基二极管器件.器件的正向电压为1.7V时,电流达到10.3A,电流密度为100A/cm2,比导通电阻7.77mΩcm2.而反向...
[期刊论文] 作者：袁俊, 黄兴, 倪炜江, 张敬伟, 李明山, 牛喜平, 徐妙,
来源：微纳电子技术 年份：2004
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[期刊论文] 作者：李宇柱,倪炜江,李哲洋,李赟,陈辰,陈效建,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基（SBD）二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,陈辰,陈效建,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基（JBS）二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A（正向压降2.1V）。通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工作温......
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赞,陈辰,陈效建,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
碳化硅（4H-SiC）材料具有宽带隙、高饱和电子漂移速率和高热导率等优良特性，因此SiC电力电子器件在高功率、大电流、高频率、耐高温和抗辐射等方面相对于Si器件性能要优胜得多，被......
[期刊论文] 作者：陈刚,王雯,柏松,李哲洋,吴鹏,李宇柱,倪炜江,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT（静电感应晶体管）。该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工...
[期刊论文] 作者：仇坤,倪炜江,牛喜平,梁卫华,陈彤,刘志弘,,
来源：微电子学 年份：2016
研制了一种功率型4H-SiC双极结型晶体管。通过采用深能级降低工艺和一氧化氮退火钝化工艺,提高了电流增益。详细研究了发射极-基极几何结构与电流增益的关系,发现随着发射极...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,陈辰,陈效建,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1 200 V,封装的器件电流室温达到5 A(正向压降2.1 V).通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,陈辰,陈效建,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在不同工作温度下对比测试显示了直流特性随工...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,管邦虎,陈征,柏松,陈辰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管（VJFET）。在栅电压VG=-10 V时阻断电压达到1 200 V;在VG=2.5 V,VD=2V时的电流密度为395...
[期刊论文] 作者：倪炜江,李宇柱,李哲洋,李赟,王雯,贾铃铃,柏松,陈辰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
在76．2mm4H—SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管（JBS）。在室温下，器件反向耐压达到2700V。正向开启电压为0．8V，在VF=2V时正向电流密度122A／cm^2，比导通......
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