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[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,
来源：功能材料与器件学报 年份：1998
Ｃ作为ＩＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的ｐ型掺杂剂，如Ｚｎ和Ｂｅ，根据近期研究成果，对采用ＭＯＶＰＥ技术生......
[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,
来源：半导体学报 年份：2000
从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究。首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａｌ在固、气相间的分......
[会议论文] 作者：公延宁;莫金玑;,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
文本以常压MOCVD（AP-NOCVD）系统为对象、分析了AlCaAs生长过程中控制多数对气相Al组分含量量XAl和固相Al组分含量X之间关系的影响。结果表明，在采用AP-MOCVD系统生长AlCaAs时，在...
[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,夏冠群,
来源：功能材料与器件学报 年份：1998
Ｃ作为ＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的ｐ型掺杂剂，如Ｚｎ和Ｂｅ。根据近期研究成果，对采用ＭＯＶＰＥ技术......
[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,余海生,夏冠群,
来源：半导体学报 年份：2000
从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ 的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究．首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａｌ在固、气相间的分......
[期刊论文] 作者：公延宁,莫金玑,余海生,汪乐,夏冠群,
来源：Rare Metals 年份：1999
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