搜索筛选:
搜索耗时8.4716秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：冯旭 郑万超 杨洪星 张伟才,
来源：电子乐园·上旬刊 年份：2021
摘要：由于区熔硅单晶在高频大功率电力电子器件、探测器等领域的应用，人们对区熔硅单晶内微缺陷进行了深入研究。在区熔硅单晶内，微缺陷主要分为A类微缺陷、B类微缺陷、C类微缺陷和D类微缺陷四种。这四种微缺陷主要受到温度、生长速率、杂质和氢元素的影响，且微缺陷......
相关搜索：
