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[学位论文] 作者：凤志成,,
来源：合肥工业大学 年份：2018
集成电路工艺发展到了纳米时代,电源电压和器件尺寸随之不断减小,电路节点电容也不断减少,所以节点存储的电荷急剧下降,因此CMOS电路愈发容易受到辐射效应引起的软错误影响。...
[期刊论文] 作者：凤志成,侯万霞,,
来源：黑龙江档案 年份：2000
“一方水土,养育一方人”.当年,中国人民解放军8万铁兵及开发建设者们高举向大兴安岭进军的旗帜,战严寒,斗冰雪,洒热血,献青春,战胜了高寒酷冷,唤醒了沉睡千年的林海雪原,打...
[期刊论文] 作者：凤志成,侯万霞,,
来源：黑龙江档案 年份：1999
在大兴安岭地区加格达奇北山,高高矗立着由状如两根铁轨,中间镶嵌着中国人民解放军原铁道兵部队兵徽和镌刻在大理石上的碑文组成的铁道兵开发大兴安岭纪念碑。这高高的纪念...
[期刊论文] 作者：黄正峰,凤志成,姚慧杰,易茂祥,欧阳一鸣,梁华国,,
来源：计算机辅助设计与图形学学报 年份：2018
随着集成电路工艺的飞速发展,电路内部节点对于高能粒子入射的敏感性急速增大,锁存器中辐射效应引起的软错误急剧增多.进入90 nm工艺以后,电荷共享导致的双点翻转已经成为影响可靠性的严重问题.为此,基于混合三模冗余机制,提出2种加固锁存器结构:TMR-2D1R锁存器......
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