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[期刊论文] 作者：刘三清,,
来源：软件世界 年份：2007
由于SaaS的出现．企业管理软件行业正在经历一场深刻的变革。SaaS在西方国家已经流行，Salesforce、RightNow、Taleo等专业SaaS软件公司早已是上市公司。在中国，白2004年出现了八...
[期刊论文] 作者：刘三清,
来源：科技与生活 年份：2012
在湖北省委、省政府召开“喜迎十八大、争创新业绩”主题实践活动万人大会和省直机关：“抓作风、抓环境、抓落实、促跨越”活动千人大会之后，2012年1月31日下午，湖北省科协召开......
[期刊论文] 作者：刘三清,,
来源：印刷工业 年份：2017
在名片天下看来,不虚张声势,不妄自浮夸,专心挖掘客户的真实需求,为客户真正创造价值,这才是名片天下的坚持,也是当初与Vistaprint结缘的根本。2006年,当淘宝与eB ay大战正酣...
[期刊论文] 作者：刘三清,
来源：电脑爱好者 年份：1996
离偏僻的乡村似天宫一样遥远的电脑,如超凡脱俗的神姝仙子,很多人以为她新奇、神秘。我这个学中文的,虽然早对她心驰神往,但碍于“癞哈蟆想吃天鹅肉”的嘲弄,也只能仰视。岁...
[期刊论文] 作者：刘三清,梅婷,
来源：微电子学 年份：1999
对一种结构简单的互阻ＣＭＯＳ放大器的工作原理进行了分析，着重对其灵敏度、频率特性和动态范围等参数与电路结构参数之间的关系进行了模拟分析和设计研究。接收电路按０．３５／０．５μｍ规则设计，在采......
[期刊论文] 作者：应建华,刘三清,
来源：微电子学 年份：1991
本文对大功率场效应晶体管VDMOS器件的导通电阻与单元结构的参数进行了研究,重点讨论了栅宽、外延层厚度和浓度与导通电阻的关系,计算出的I-V曲线随单元结构参数的不同有明显...
[期刊论文] 作者：刘三清,应建华,
来源：微电子学 年份：1992
在铝栅CMOS数字电路中,采用一个低跨导pMOS管和一个低跨导nMOS管及两个专门设计的大电容和两级普通倒相器,可构成一个自复零电路。在芯片电源接通时,该电路产生一个具有一定...
[期刊论文] 作者：罗娟,刘三清,
来源：微电子学 年份：1999
根据在系统可编程器件的特点，以提高器件的资源利用率、简化设计为原则，利用在系统可编程器件的开发系统设计了计程测速电路，总结了利用在系统可编程器件进行ＡＳＩＣ设计的特点和技巧。......
[期刊论文] 作者：刘三清,罗娟,
来源：华中理工大学学报 年份：1999
给出了一种新型的汽车电压调节器电路结构.该电路的电压调节功能由脉宽调制过程实现,电路芯片的设计采用双极模拟I2L数字混合结构.通过闭环仿真模拟验证了电路原理的正确性,...
[期刊论文] 作者：刘刚,刘三清,
来源：华中理工大学学报 年份：1991
本文论述了具有垂直沟道、多单元结构的高电压、大电流功率MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的设计理论及方法.并从四个方面阐述了其结构特点,提供了具体设计参数及部分二维数值分...
[会议论文] 作者：应建华,刘三清,
来源：中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议 年份：1997
利用一个ＭＯＳ场效应管和一个结型场效应管的复合模型，来模拟漏极带有缓冲区的高压场效应晶体管的Ｉ／Ｖ特性，以常规器件模型解决特殊器件结构的问题，为研究标准ＭＯＳ工艺下高压器件的Ｉ／Ｖ特性提供一......
[会议论文] 作者：应建华,刘三清,
来源：第二届全国敏感元件传感器学术会议 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：刘三清,刘刚,
来源：华中理工大学学报 年份：1988
本文通过对用于汽车电子点火的达林顿开关电路的分析,得到了一组进行两晶体管电流最佳分配设计曲线,并对设计中的有关问题进行了讨论。In this paper, through analyzing t...
[期刊论文] 作者：刘刚,刘三清,
来源：华中理工大学学报 年份：1988
本文论述了电容式氧化铝湿敏元件的感湿原理及多孔氧化铝的成膜机理。通过特性的测试比较,确定了较工艺条件及合理的元件结构,并应用不同的方法对好的影响元件感湿特性的因素...
[期刊论文] 作者：东振中,刘三清,
来源：电子与封装 年份：2004
本文设计的电压频率转换器由输入级、带隙偏置电路和多谐振荡器组成,电路具有良好的线性度、动态范围和低的温度漂移。...
[期刊论文] 作者：李乃平,刘三清,
来源：华中理工大学学报 年份：1989
本文从理论上分析了硅剪切压阻系数的择优取向,以及在矩形、方形和圆形弹性膜片上欲获得较大剪应力,电阻条的布局原则。利用本文提供的方法,对某些膜片上的四端应变电阻所进...
[期刊论文] 作者：刘三清,秦祖新,
来源：微电子学 年份：1994
对具有周期性运动特点的物体，采用计量周期运动时间以及通过周期运动行程与周期运动时间的除法运算可获得其运动速度，本文所论述的就是基于这个思想而进行的一种检测速度的新型......
[期刊论文] 作者：刘三清,秦祖新,
来源：微电子学 年份：1991
本文介绍通信LSI/VLSI电路制作技术中目前比较通用的工艺。总的来说,通信电路工艺是以前LSI/VLSI22艺的继续和发展。文中论述的重点是那些和过去LSI/VLSI工艺不同的方面,而这...
[期刊论文] 作者：刘三清,秦祖新,
来源：微电子学 年份：1991
本文介绍了通信技术和通信电路的发展情况,论述了通信技术和通信电路与通信LSI/VLSI发展的密切关系以及通信电路技术的特点;并通过实例说明通信LSI/VLSI中典型的电路和技术。...
[期刊论文] 作者：秦祖新,刘三清,
来源：微电子学 年份：1991
作者采用一种新方法设计了可在高压下工作的高频VDMOS器件,该器件具有二级场板终端结构。通过在工艺上利用多晶硅选择氧化形成漏表面厚氧化层,不仅可以有效地减小C_(gd),而且...
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