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[学位论文] 作者：刘佰清,,
来源：南京大学 年份：2014
随着In组分的增加,延展波长InxGa1-xAs/InP红外探测器的截止波长从1 u m延伸至3μm,在红外夜视,大气探测,地球观测等方面有着广泛应用前景。但随着111组分的增加,探测器的暗...
[期刊论文] 作者：郑若成, 王印权, 刘佰清, 郑良晨,,
来源：电子与封装 年份：2020
采用电容结构研究了氟(F,Flourine)掺杂非晶薄膜漏电、击穿以及温度特性。结果表明,氟掺杂钝化了非晶膜中的缺陷和悬挂键,使非晶薄膜漏电降低两个数量级,同时使击穿电压升高...
[期刊论文] 作者：刘佰清,刘国柱,吴健伟,洪根深,郑若成,,
来源：电子与封装 年份：2017
基于抗辐射0.6umCMOS工艺,对5V/20V&LV/HVNMOS器件进行了总剂量加固结构设计,并采用叠栅氧工艺成功制备了抗总剂量能力逸500krad(Si)高低压兼容的NMOS器件。重点研究了不同的...
[期刊论文] 作者：刘佰清,洪根深,郑若成,刘国柱,敖一程,王印权,,
来源：材料导报 年份：2015
基于1.0μm ONO（SiO2-Si3N4-SiO2）反熔丝CMOS工艺下的反熔丝单元器件,研究了ONO反熔丝单元器件的TDDB寿命预测模型。研究发现ONO反熔丝单元器件的温度激活能Ea与电场强度Eeff存...
[期刊论文] 作者：潘福跃,张明新,曹利超,刘佰清,洪根深,张海良,刘国柱,
来源：电子与封装 年份：2021
ONO(Oxide-Nitride-Oxide)反熔丝器件具有可靠性高、抗辐射、高开关比等优异特性,一直用于抗辐射可编程逻辑器件.基于0.6 μm CMOS工艺,分别采用“AF+MOS”和“MOS+AF”集成...
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