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[学位论文] 作者：刘攀克,,
来源：湖北大学 年份：2004
ZnO带隙的自由调控即能带工程对于设计和制备基于ZnO的异质结、超晶格和量子阱结构并扩展它在光电器件领域的应用至关重要,近年来是ZnO材料领域的研究重点和热点。ZnO能带工...
[期刊论文] 作者：潘瑞琨,刘攀克,黎明锴,何云斌,,
来源：材料导报 年份：2015
采用脉冲激光沉积法（PLD）,在掺铌的钛酸锶单晶基片（Nb∶SrTiO3,NSTO）上外延生长了15 nm厚度的BTO薄膜.并采用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）等技术,......
[期刊论文] 作者：张蕾,方龙,刘攀克,刘越彦,黎明锴,何云斌,
来源：功能材料 年份：2016
采用脉冲激光沉积方法以ZnS为靶材c面蓝宝石为衬底制备了一系列的ZnS薄膜,并采用四圆单晶衍射仪研究了薄膜的晶体结构及其与衬底的取向关系。首先研究了沉积温度对ZnS薄膜质...
[会议论文] 作者：黎明锴,朱家昆,罗明海,邰佳丽,刘攀克,方龙,何云斌,
来源：中国物理学会2013年秋季学术会议 年份：2013
ZnO是非常有潜力的宽禁带半导体材料[1]。已经有许多工作对ZnO阳离子掺杂改性进行了详细的研究,如MgZnO、CdZnO等[2,3]。然而对于ZnO的阴离子掺杂研究相对并不充分。...
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