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[会议论文] 作者：刘爽[1]于国浩[2]蔡勇[2]苑进社[3]张宝顺[2],
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
采用原子层淀积(ALD),制备Al2O3(8nm)为栅介质的Si衬底AlGaN/GaN金属绝缘栅高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT).器件栅长2μm,栅宽100um,制备的MIS-HEMT器件经过400℃、10分钟退火...
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