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[会议论文] 作者：吳家松,張健煌,林泰勇,吳憲明,劉興中,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
本论文主旨是在探讨、分析及制作1.8GHz氮化鎵低杂讯功率放大器(Low noise amplifier),利用0.5um氮化铝镓/氮化镓高电子移导率场效电晶体(A1Gabl/GeN high electron mobility transistor,HEMT),制作一个两级的架构,第一级尽量降低输出杂讯,第二级提高输出增益,......
[会议论文] 作者：吳家松[1]張健煌[1]林泰勇[1]吳憲明[2]劉興中[1],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
本论文主旨是在探讨、分析及制作1.8GHz氮化鎵低杂讯功率放大器(Low noise amplifier),利用0.5um氮化铝镓/氮化镓高电子移导率场效电晶体(A1Gabl/GeN high electron mobility...
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