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[学位论文] 作者：卞留芳,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2007
掺稀土半导体材料在硅基光电子集成、光纤通讯以及大面积的平板显示等方面都有潜在的重要应用价值。掺铒(Er)硅基材料不仅可以发出1.54μm的红外光，而且可以发出绿光。由于铒...
[期刊论文] 作者：陈维德,卞留芳,
来源：发光学报 年份：2005
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的S iO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-S iOx∶H)薄膜。采用离子注入和高温退火方法将稀土Er掺入...
[期刊论文] 作者：张春光,卞留芳,陈维德,
来源：中国稀土学报 年份：2006
采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）和离子注入的方法制备了掺铕GaN薄膜。利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动，从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况。结果表明，Eu离子注入......
[期刊论文] 作者：陈维德,陈长勇,卞留芳,
来源：发光学报 年份：2005
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备含有纳米晶硅的SiO2(NCSO)和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅(a-SiOx:H)薄膜.采用离子注入和高温退火方法将稀土Fr掺入含有...
[期刊论文] 作者：宋淑芳,陈维德,张春光,卞留芳,许振嘉,
来源：发光学报 年份：2005
利用背散射/沟道(RBS/C)技术、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性.RBS/C结果表明,注入Pr后,在注入层引入了晶格损伤;注入样品经1...
[期刊论文] 作者：卞留芳,张春光,陈维德,许振嘉,屈玉华,刁宏伟,,
来源：中国稀土学报 年份：2006
用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的方法，以固定的氢气（H2）流量和不同的硅烷（SiH4）和甲烷（CH4）流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC（a-Si，C1-x-H）膜。用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺......
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