搜索筛选:
搜索耗时3.1657秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 4 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：彭少近,卢文宏,,
来源：仪表材料 年份：2004
用近平衡降温生长的LPE技术生长了In_(1-x)Ga_xAs/InP(111)B异质结,研究了在饱和溶液附近,“Ga”组分的偏离对“X”值,带隙(Eg)、荧光峰值波长(λg)、晶格失配[△a/a=(a_(InG...
[期刊论文] 作者：彭少近,卢文宏,,
来源：仪表材料 年份：1985
探讨了利用In在真空中予焙烧、生长溶液在乾H_2中焙烧技术以及利用逐次降低生长起始温度的液相外延(LPE)技术生长高纯度的In_(1-X)Ga_XAs(x～0.47)外延片的方法.比较好的电学结...
[期刊论文] 作者：彭少近,卢文宏,郑国宪,
来源：半导体学报 年份：1985
用电子探针微区分析和阴极荧光研究了LPE生长In_(1-x)Ga_xAs(x～0.47)时用逐次降低生长起始温度T_g的方法生长的外延片.结果表明,采用这种方法可以多次使用生长溶液,得到组分一...
[期刊论文] 作者：郑一阳,张进昌,刘衍芳,彭少近,卢文宏,沈桂贤,张颖竹,苏桂祥,贾奎友,
来源：电子学报 年份：2004
本文首次报导了用InGaAs材料制备的Hall器件。该器件具有输出灵敏度高(比GaAs高50％),功耗小,欧姆接触好以及在较宽的温区(4K到480K)内工作等特点。在4K温度时,可以工作到80kG...
相关搜索：
