搜索筛选:
搜索耗时3.3405秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 3 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：卢汉汉,,
来源：华中科技大学 年份：2004
当前,随着MOS器件尺寸的不断减小,硅基CMOS技术已经逐步达到其理论极限,而III-V族化合物半导体材料因为具有更高的载流子迁移率,因此有望在未来取代硅作为沟道材料制备MOS器...
[期刊论文] 作者：刘超文,徐静平,刘璐,卢汉汉,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
High-k gate dielectric Hf Ti ON Ga As metal-oxide–semiconductor(MOS) capacitors with La ON as interfacial passivation layer(IPL) and NH3- or N2-plasma surface...
[期刊论文] 作者：刘超文,徐静平,刘璐,卢汉汉,黄苑,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
A threshold-voltage model for a stacked high-k gate dielectric GaAs MOSFET is established by solving a two-dimensional Poisson’s equation in channel and consid...
相关搜索：
