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[期刊论文] 作者：Bhan.,RK,古脉清,
来源：微电子学 年份：1990
MOS器件栅氧化层,是在有氯源1,1,1三氯乙烷(TCA)的条件下生长的。本文已给出击穿电压(BV)与TCA克分子浓度的关系曲线。为了考察用三氯乙烷代替三氯乙烯(TCE)是否适合,将上述...
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