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[学位论文] 作者：史艳磊,,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2012
TiAl合金是一种比较理想的、应用于航空航天发动机领域的先进材料,因为其具有非常好的高温性能和较高的弹性模量。但是由于TiAl合金的室温脆性，使其应用受到了限制。为了改善T...
[学位论文] 作者：史艳磊,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2012
TiAl合金是一种比较理想的、应用于航空航天发动机领域的先进材料,因为其具有非常好的高温性能和较高的弹性模量。但是由于TiAl合金的室温脆性,使其应用受到了限制。为了改善...
[期刊论文] 作者：李玉茹,付莉杰,史艳磊,孙同年,孙聂枫,,
来源：微纳电子技术 年份：2014
介绍了国内外InP太阳电池的发展现状,对InP太阳电池的技术及其优势进行了分析。探讨了反向生长和低温键合对InP多结太阳电池质量的影响,指出其不仅可以降低位错等缺陷,提高太...
[期刊论文] 作者：李玉茹,黄清芳,李晓岚,邵会民,史艳磊,孙聂枫,,
来源：半导体技术 年份：2013
利用自制高压单晶炉内采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了InP晶体生长过程中引晶和放肩阶段的控制等因素对单晶生长的影响。采用平放肩工艺进行了3~4英寸(1英寸=2.54 c...
[期刊论文] 作者：王阳,孙聂枫,李晓岚,王书杰,邵会民,史艳磊,付莉杰,
来源：微纳电子技术 年份：2020
采用液封直拉(LEC)法制备了掺Fe半绝缘磷化铟(InP)晶体,通过电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法和辉光放电质谱(GDMS)法等直接测试元素含量的方法研究了作为掺杂剂的Fe浓度分布...
[会议论文] 作者：黄清芳,孙聂枫,李晓岚,李帅,杨建业,邵会民,史艳磊,王阳,刘惠生,孙同年,
来源：第十六届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2012
本文利用自制高压单晶炉,采用高压液封直拉技术(HP-LEC)研究了4英寸掺S低阻N型和掺Fe半绝缘InP单晶的生长技术.主要讨论了晶体生长过程中引晶、放肩、等径控制等因素对单晶生...
[期刊论文] 作者：史艳磊,孙聂枫,徐成彦,王书杰,林朋,马春雷,徐森锋,王维,陈春梅,付莉杰,邵会民,李晓岚,王阳,秦敬凯,
来源：无机材料学报 年份：2020
磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料。InP由于性能优异,在高频电子器件及红外光电器件领域的应用日趋增多。目前,磷化铟器件的价格远高于砷化镓器件,其主要原因是磷化铟单晶成品率低,以及晶圆尺寸较小造成外延和器件工艺成本居高不下。增大InP单晶的直径对......
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