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[会议论文] 作者：吕毅军[1]高玉琳[1]郑健生[1]李志锋[2]蔡炜颖[2],
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
测量了室温下三元GaInP和四元(AlGa)InP(X=0.29)合金背散射配置下的喇曼光谱。三元GaInP的喇曼谱表现为双模形式，在DALA带上叠加了FLA模，在有序样品中观察到了类GaP的TO模和类I...
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