搜索筛选:
搜索耗时1.2100秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 69 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：吕衍秋,,
来源：红外 年份：2006
本文概括了国内外InGaAs红外焦平面的研究现状、发展趋势和基本性质。介绍了几种InGaAs红外焦平面的结构和工作原理，及其在军用、民用和空间遥感领域的应用前景，对InGaAs焦平面...
[学位论文] 作者：吕衍秋,
来源：中国科学院上海技术物理研究所 年份：2007
由于InGaAs短波红外探测器具有可以室温工作、探测率高等优点，InGaAs线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。为了满足我国下一代航天遥感用短波红外探测器及线列焦平面的...
[学位论文] 作者：吕衍秋,
来源：山东大学 年份：2003
我们对俄罗斯的Q开关LiNbO晶体、同成分LiNbO晶体和以KO顶部籽晶法生长出的LiNbO晶体进行了对比分析:用电子探针对其进行了元素含量分析,并用测居里点、晶胞体积、紫外吸收边...
[期刊论文] 作者：陈刚,孙维国,吕衍秋,,
来源：红外 年份：2016
概括了国外InAlSb红外探测器的研究现状、材料性质以及发展趋势,并介绍了几种不同的器件结构及其性能情况。InAlSb/InSb红外探测器的设计目标主要是通过抑制暗电流来提高探测...
[期刊论文] 作者：于晓辉,吕衍秋,孟超,,
来源：红外 年份：2014
激光成像制导是精确制导的主要发展方向之一。激光成像制导探测器是激光成像系统的关键部件。介绍了国内外激光成像制导探测器的研究进展,包括HgCdTe焦平面、Si雪崩焦平面、I...
[期刊论文] 作者：吕衍秋,庄春泉,黄杨程,李萍,
来源：半导体学报 年份：2004
利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度...
[期刊论文] 作者：吕衍秋,鲁星,鲁正雄,李墨,
来源：航空兵器 年份：2020
锑化物探测器是当前主要的红外探测器类型之一,主要包括InSb、InAsSb、InAlSb以及II类超晶格(T2SL)等红外探测器,覆盖红外短、中、长波。锑化物探测器在精确制导、机载光电、...
[期刊论文] 作者：王雯,张小雷,吕衍秋,司俊杰,,
来源：红外与激光工程 年份：2014
针对InSb红外焦平面芯片中InSb与Si读出电路热膨胀系数不匹配导致芯片龟裂及铟柱断裂现象,开展了Si基InSb红外焦平面探测器(FPA)的研究。运用磨抛减薄技术及金刚石点切削技术...
[期刊论文] 作者：孟庆端,余倩,张立文,吕衍秋,,
来源：物理学报 年份：2012
为明确InSb芯片前表面结构缺陷和背面减薄工艺对InSb芯片变形的影响,本文采用降低InSb芯片法线方向杨氏模量的方式,基于热冲击下InSb芯片的典型形变特征来探索InSb芯片力学参...
[期刊论文] 作者：朱旭波, 李墨, 何英杰, 吕衍秋,
来源：航空兵器 年份：2022
小像元是InSb红外焦平面器件制备的发展方向之一，但其会对器件的光电流响应和串音产生很大影响。因此使用Sentaurus TCAD软件建立了小像元InSb红外焦平面阵列器件的台面结器件模型、平面结器件模型和外延结构器件模型，采用背照射的3个像素单元的InSb阵列器件仿真......
[期刊论文] 作者：陈刚, 李墨, 吕衍秋, 朱旭波, 曹先存,,
来源：红外与激光工程 年份：2004
采用分子束外延生长方法在In Sb（100）衬底上生长p+-p+-n-n+势垒型结构的In1-xAlxSb外延层。运用X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征,In Al Sb外延层的半峰宽为0....
[期刊论文] 作者：孟庆端,张晓玲,张立文,吕衍秋,,
来源：物理学报 年份：2012
热冲击下红外焦平面探测器的高碎裂概率制约着其成品率.为明晰碎裂机理,基于等效设想,利用小面阵等效大面阵解决了128×128面阵探测器三维结构建模所需单元数过多的问题,同时...
[期刊论文] 作者：孟庆端,吕衍秋,鲁正雄,孙维国,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2010
借助有限元软件系统分析了铟柱取不同直径时红外探测器整体结构的应力分布.模拟结果表明,在固定铟柱高度的前提下,当铟柱直径以2μm的步长从36μm减小到18μm的过程中,InSb芯...
[期刊论文] 作者：姚官生,张向锋,丁嘉欣,吕衍秋,,
来源：红外技术 年份：2014
制备了Pt/CdS Schottky紫外探测器，对Pt/CdS Schottky紫外芯片对中波红外（3～5μm）的透过率进行了研究，并对器件光电性能进行了测试分析。通过优化 Pt 电极制备条件及对 SiO2增透膜...
[期刊论文] 作者：吕衍秋,庄春泉,黄杨程,李萍,龚海梅,
来源：半导体学报 年份：2006
利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度...
[期刊论文] 作者：孟庆端,吕衍秋,鲁正雄,孙维国,,
来源：焊接学报 年份：2011
借助有限元法分析了锑化铟红外探测器铟球焊点的可靠性．结果表明，应力最大值位于探测器边缘拐角处锑化铟芯片与铟球连接处，且在周期性温度载荷下，应力呈周期性变化．温度降低，应力迅......
[期刊论文] 作者：韩冰,吕衍秋,吴小利,李雪,龚海梅,
来源：激光与红外 年份：2006
利用分子束外延（MBE）方法生长的掺杂InGaAs吸收层PINInP／InGaAs／InP双异质结外延材料，通过台面制作、硫化后覆盖聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺，制作了台面构造的256×1正照射In...
[期刊论文] 作者：韩冰,吕衍秋,吴小利,李雪,龚海梅,
来源：第二届全国先进焦平面技术研讨会 年份：2006
本文利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过台面制作、硫化后覆盖聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制作了台面构造的256×1...
[期刊论文] 作者：沈祥伟,吕衍秋,刘炜,曹先存,何英杰,,
来源：红外与激光工程 年份：2014
随着大规模InSb红外焦平面(FPA)器件的发展,探测器制备的传统湿法刻蚀工艺已越来越难以满足新工艺要求。介绍了一种用于制备InSb红外焦平面探测器的新湿法刻蚀工艺:使用适当...
[期刊论文] 作者：孟庆端,吕衍秋,鲁正雄,孙维国,,
来源：低温物理学报 年份：2010
制备了平面结InGaAs短波红外探测器,分别测量了其在室温及液氮温区的响应光谱、电流～电压曲线和光生信号及噪声,发现其光生信号与室温测量值相比下降了大约50%.在液氮温区的测...
相关搜索：
