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[学位论文] 作者：吴传禄,,
来源：湘潭大学 年份：2015
铁电场效应晶体管(Fe FET)作为铁电存储器中的一员,在现代电子工业有广阔的应用前景,尤其是在国防电子工业中很受重视,其具有高存储密度、非挥发性、结构简单、强抗辐射能力...
[期刊论文] 作者：吴传禄,马颖,蒋丽梅,周益春,李建成,,
来源：物理学报 年份：2014
本文利用改进的米勒模型模拟了金属-铁电-绝缘体-基底结构铁电场效应晶体管在电离辐射环境下的铁电薄膜极化、界面电荷密度和电荷迁移率,最终得出在不同辐射总剂量和辐射剂量...
[会议论文] 作者：韩中良,郭阳,梁斌,吴传禄,罗园,陈建军,
来源：第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛 年份：2016
电阻、电容等无源元件在模拟电路设计中有着广泛的应用，然而在许多CMOS工艺条件下，制作精确控制的电阻或者具有合理物理尺寸的电阻是很困难的[1]，大多数CMOS工艺制作无源电......
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