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[期刊论文] 作者：姚淑德,吴名枋,
来源：核技术 年份：1999
用沟道离子注入法生成的稀土硅化物经背散射沟道分析，电镜分析和Ｘ射线衍射测试表明，它具有很好的结晶品质和很高的相稳定性。...
[期刊论文] 作者：姚淑德,吴名枋,
来源：半导体学报 年份：1999
本文阐述了用ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ技术研究异质外延ＧａＮ及其三元合金薄膜的重要性和必要性，报道了实验测量的ＧａＮ及其三元合金ＡｌＧａＮ，ＩｎＧａＮ膜的结构，给出了较为准确的元素种类，成分配比，薄膜厚度，合金元素的浓度随深度的分......
[期刊论文] 作者：姚淑德,吴名枋,
来源：青岛大学学报：自然科学版 年份：1997
新型核技术－沟道离子束合法，在研制稀土金属硅化物的过程中被发展和采用，沟道离子合成法比传统的注入方法有很多优点，背散射沟道分析，电镜分析和Ｘ射线衍射测试结果表明，生成的稀土硅......
[会议论文] 作者：姚淑德,吴名枋,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：姚淑德,吴名枋,陈守元,张勇,
来源：核技术 年份：1999
用沟道离子注入法生成的稀土硅化物产物经背散射沟道分析、电镜分析和Ｘ射线衍射测 试表明：它具有很好的结晶品质（ＥｒＳｉ１．７的Ｘｍｉｎ值可低到１．５％）和很高的相稳定性。The results of backscatter ch......
[期刊论文] 作者：吴名枋,赖初喜,姚淑德,王雪梅,
来源：核技术 年份：1993
用离子束合成法先后在Si(100)衬底中形成了连续的SiO_2及CoSi_2埋层,从而形成了复合的Si/CoSi_2/Si/SiO_2/Si(100)结构。卢瑟福背散射、沟道技术及用扫描电镜所作的电子通道...
[会议论文] 作者：姚淑德,吴名枋,陈守元,卢一泓,
来源：1998年中国材料研讨会 年份：1998
该文报道了沟道离子束合成法研制稀土硅化物的实验新进展－－合成了高结晶品质的ＹＳｉ〈，１．７〉及其三元稀土硅化物Ｎｄ〈，０．３２〉Ｙ〈，０．６８〉Ｓｉ〈，１．７〉，并用背散射／沟道（ＲＢＳ／Ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ）技术，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），透射电镜（ＴＥＭ）及能散谱（ＥＤＳ）分析了晶体结构......
[期刊论文] 作者：法涛,李琳,姚淑德,吴名枋,周生强,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
This paper reports that the 150-keV Mn ions are implanted into GaN thin film grown on Al2O3 by metal-organic chemical vapour deposition.The X-ray diffraction re...
[会议论文] 作者：姚淑德,吴名枋,陈守元,卢一泓,
来源：1998年中国材料研讨会 年份：1998
该文报道了沟道离子束合成法研制稀土硅化物的实验新进展－－合成了高结晶品质的ＹＳｉ〈，１．７〉及其三元稀土硅化物Ｎｄ〈，０．３２〉Ｙ〈，０．６８〉Ｓｉ〈，１．７〉，并用背散射／沟道（ＲＢＳ／Ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ）技术，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），透射电镜（ＴＥＭ）及能散谱（ＥＤＳ）分析了晶体结构，还进行了有特色有ＹＳｉ〈，１．７〉的应变研究。......
[期刊论文] 作者：姚淑德,吴名枋,陈守元,孙胜权,张勇,
来源：半导体学报 年份：1999
本文阐述了用ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ技术研究异质外延ＧａＮ及其三元合金薄膜的重要性和必要性，报道了实验测量出的ＧａＮ及其三元合金ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ膜的结构，给出了较为准确的元素种类、成分配比、薄膜厚度、合金元素的浓度......
[会议论文] 作者：姚淑德,吴名枋,周生强,孙长春,孙昌,张亚伟,
来源：2001年超精细相互作用与核固体物理研讨会 年份：2001
本文对带电粒子的沟道效应研究正在逐步深入.背散射/沟道分析是判定材料结晶品质优劣的重要手段,应用范围由金属推广到半导体、光电材料等薄膜样品,用沟道分析首次得到高结晶...
[期刊论文] 作者：雷红兵,杨沁清,王启明,周必忠,肖方方,吴名枋,
来源：半导体学报 年份：1998
本文详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱，有５个发光峰分别位于１．５３６μｍ、１．５５４μｍ、１．５７０μｍ、１．５９８μｍ和１．６４０μｍ，其中１．５３６μｍ发光峰最强．结合背散射谱，认为其有效的发光中心为处于Ｔｄ对称中心的填隙铒Ｅｒ３＋离子．在Ｅｒ与Ｏ、Ｎ、......
[期刊论文] 作者：姚淑德,陈守元,马军,张亚伟,丰伟静,王雪梅,吴名枋,唐超群,
来源：核技术 年份：1998
介绍了用离子束合成法研制新型材料β－Ｃ３Ｎ４的条件及过程，用ＲＢＳ、ＸＲＤ等手段分析研究该方法生成物的配比、结构和物相，观察到ＣＮ化合物多晶。...
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