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[学位论文] 作者：吴宏仙,
来源：贵州大学 年份：2017
硅化物Mg2Si无毒、无污染，其组成元素在地球上含量丰富、资源寿命较长，是一种环境友好型半导体材料。该材料在光电子器件、电子器件、能量器件领域具有重要的应用前景。本文从......
[期刊论文] 作者：吴宏仙,李瑞,
来源：中国科技投资 年份：2019
本文针对相控阵雷达特点,综述了目前相控阵雷达识别的几种技术....
[期刊论文] 作者：吴宏仙,张晋敏,房迪,谢泉,
来源：纳米科技 年份：2015
高锰硅化合物是一种环境友好型热电材料．是目前新技术领域的重点材料之一。然而为了提高其热电性能，目前许多研究者采用各种元素掺杂制备高猛硅化合物．并研究对其热电性质的影响......
[期刊论文] 作者：房迪,肖清泉,廖杨芳,袁正兵,王善兰,吴宏仙,,
来源：材料导报 年份：2017
采用磁控溅射技术和退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备了Mg2Si半导体薄膜,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜结构及其电学性质的影响。在钠钙玻璃上分别溅射两组相同厚度（175nm）的P-Si和N-...
[期刊论文] 作者：吴宏仙,廖杨芳,王善兰,房迪,谢泉,张晋敏,,
来源：低温物理学报 年份：2016
采用热蒸发镀膜方法制备Mg_(2-x)Mn_xSi(原子比x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08)半导体薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微(AFM)对Mg_(2-xMn_xSi薄膜样品的晶体结构和表面形貌...
[期刊论文] 作者：王善兰,廖杨芳,吴宏仙,梁枫,杨云良,肖清泉,谢泉,,
来源：功能材料 年份：2016
采用磁控溅射和热处理系统制备Mg2Si/Si异质结。首先在n-Si（111）衬底上沉积Mg膜,经热处理后得到Mg2Si/Si异质结。利用XRD、SEM、表面轮廓仪、伏安特性测试仪和霍尔效应测试仪,...
[期刊论文] 作者：王善兰,廖杨芳,房迪,吴宏仙,肖清泉,杨云良,谢泉,
来源：量子电子学报 年份：2017
用磁控溅射方法在Si衬底上制备了Al掺杂Mg2Si薄膜，通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带......
[期刊论文] 作者：王善兰,廖杨芳,房迪,吴宏仙,肖清泉,袁正兵,谢泉,,
来源：半导体技术 年份：2017
采用磁控溅射方法和热处理工艺在Si衬底上制备了不同Al质量分数的Mg_2Si薄膜,研究了不同Al质量分数对Mg_2Si薄膜结构及其电学性质的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显...
[期刊论文] 作者：王善兰,廖杨芳,房迪,吴宏仙,肖清泉,杨云良,谢泉,,
来源：量子电子学报 年份：2017
用磁控溅射方法在Si衬底上制备了A1掺杂Mg_2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度...
[期刊论文] 作者：袁正兵, 肖清泉, 廖杨芳, 房迪, 王善兰, 吴宏仙, 谢泉,,
来源：低温物理学报 年份：2017
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[期刊论文] 作者：贺晓金,张晋敏,黄晋,卢顺顺,何帆,吴宏仙,邵鹏,谢泉,,
来源：计算物理 年份：2016
采用基于密度泛函理论（ DFT）的赝势平面波法，对过渡金属Co掺杂Fe3 Si进行几何结构优化，计算Co含量对Fe3 Si合金磁学性质的影响。研究表明：Fe3－x Cox Si的磁性主要来源于过渡金属元......
[期刊论文] 作者：袁正兵,肖清泉,廖杨芳,房迪,王善兰,吴宏仙,谢泉,周瑞雪,,
来源：低温物理学报 年份：2017
采用磁控溅射技术、退火工艺和丝网印刷技术,在N-Si（111）（ρ>1000Ω·cm）衬底上分别溅射厚度为360nm、400nm、440nm、480nm、520nm、560nm的Mg膜,制备一系列Mg2Si薄膜,然后在其上...
[期刊论文] 作者：卢顺顺,张晋敏,郭笑天,高廷红,田泽安,何帆,贺晓金,吴宏仙,
来源：物理学报 年份：2016
采用经典分子动力学方法模拟一定直径[111]晶向的硅纳米线填充不同扶手椅型单壁碳纳米管复合结构的加热过程,通过可视化和能量分析的方法判断复合结构中硅纳米线和碳纳米管的...
[期刊论文] 作者：卢顺顺,张晋敏,郭笑天,高廷红,田泽安,何帆,贺晓金,吴宏仙,谢泉,,
来源：物理学报 年份：2016
采用经典分子动力学方法模拟一定直径[111]晶向的硅纳米线填充不同扶手椅型单壁碳纳米管复合结构的加热过程,通过可视化和能量分析的方法判断复合结构中硅纳米线和碳纳米管的...
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